型号：

STD60NF55LT4

品牌：ST(意法半导体)
封装：DPAK
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
数据手册
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STD60NF55LT4 一小时发货
描述：表面贴装型-N-通道-55V-60A（Tc）-100W（Tc）-DPAK
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梯度内地(含税)
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3.58
2500+
3.44
产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）55V
栅源电压 Vgss±15V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）15 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）56nC @ 5V
Vgs（最大值）±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1950pF @ 25V
功率耗散（最大值）100W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装DPAK

产品概述：STD60NF55LT4 N沟道MOSFET

一、基本信息

型号: STD60NF55LT4
品牌: STMicroelectronics (ST意法半导体)
封装类型: TO-252-3, DPAK (2引线 + 接片), SC-63
FET类型: N通道MOSFET
漏源极电压（Vdss）: 55V
连续漏极电流（Id @ 25°C）: 60A (Tc)
功率耗散: 100W (Tc)
驱动电压: 4.5V 至 10V以实现最大 Rds On
工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)

二、性能特点

STD60NF55LT4是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优越的电气性能、低导通电阻，并采用于广泛的功率管理应用。其最大漏源极电压为55V，连续漏极电流可以达到60A，适用于高电流和高电压的工作环境。

  1. 低导通电阻：在10V的门控电压下，导通电阻最大值可低至15毫欧(@30A)，这使得STD60NF55LT4在高负载条件下能够显著减小功率损耗及热量生成。

  2. 高功率耗散能力：最大功率耗散为100W，这表明该器件在处理大量功率时的稳定性和可靠性，是电源管理和转化电路中极为重要的特性。

  3. 宽工作温度范围：其工作温度范围从-55°C到175°C，表明该器件可在严酷的环境条件中保持稳定性能，适用于汽车、工业以及航空航天等多种应用场景。

  4. 卓越的驱动能力：所需的驱动电压为4.5V至10V，这意味着STD60NF55LT4能与大多数常见的驱动电路兼容，便于集成。

  5. 快速开关特性：其栅极电荷 Qg 最大值为56nC( @ 5V)，有助于提高开关频率，使其适合高频率应用。这对于需要快速响应时间的电源转换器尤为重要。

三、应用场景

STD60NF55LT4广泛应用于各类功率电子产品中，尤其是以下应用场合：

  1. 开关电源（SMPS）：在开关电源中，作为主开关元件，其低导通电阻和高功率耗散能力确保高效能和稳定性。

  2. DC-DC转换器：在各种DC-DC转换器中被使用，能有效提高转换效率并降低热损失。

  3. 电机驱动：在电机控制应用中，能够提供高电流驱动，支持精确控制电机的启动和运行。

  4. 汽车电子：由于其优秀的温度性能，适合在汽车电子控制模块以及动力系统中的功率管理使用。

  5. 防护电路：可用于过压和过流保护电路，在电气设备保护上发挥重要作用。

四、总结

总的来看，STMicroelectronics生产的STD60NF55LT4 N沟道MOSFET是一个高效、稳定且多用途的功率器件，能够满足现代电子设计对功率管理的高要求。其经久耐用的性能和广泛适用的特性，使其在多个行业中成为设计师的热门选择。由于具备优异的电气性能和广泛的应用场景，该产品在未来的电子产品中将继续发挥其关键作用。