描述：表面贴装型-N-通道-30V-30A（Tc）-50W（Tc）-DPAK
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.12
100+
6.14
1250+
5.85
2500+
5.65
产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）25 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）18nC @ 5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）830pF @ 25V
功率耗散（最大值）50W（Tc）
工作温度-65°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装DPAK
产品概述：STD30NF03LT4
概览
STD30NF03LT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 通道 MOSFET，采用 DPAK（TO-252-3）封装，设计用于高效的开关电源、DC-DC 转换器以及电动机驱动等应用。此器件结合了卓越的电气特性和出色的散热能力，非常适合要求高频、高效率操作的现代电子设备。
主要技术参数
STD30NF03LT4 的重要规格包括：
- 漏源极电压（Vdss）：最大为 30V，适用于较低电压的应用场景，确保在许多消费电子和工业设备中效能良好。
- 电流能力（Id）：最大连续漏极电流达到 30A（在适当的通热条件下），使其能够处理高负荷电流的应用。
- 功率耗散：最大功率耗散额定为 50W，意味着在适当冷却条件下，能够承受较高的功率，并提高可靠性。
- 导通电阻（Rds(on)）：最大值为 25 毫欧在 15A、10V 的条件下。这一特性直接影响到开关损耗及效率，低导通电阻可显著减小能量损耗。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 2.5V 下达到最大值 @ 250µA，为驱动电路设计提供了灵活性。
- 驱动电压：该 MOSFET 可在 4.5V 至 10V 的驱动电压下达到最佳性能，便于与低压驱动电路兼容。
电气特性
STD30NF03LT4 的其他电气特性还包括：
- 栅极电荷（Qg）：最大 18nC @ 5V，提供快速的开关速度，提高开关频率时减小开关损失。
- 输入电容（Ciss）：最大值为 830pF @ 25V，表现出良好的输入特性，通过减小输入电容，可以提高电路的响应速度和效率。
- 工作温度范围：工作温度范围从 -65°C 至 175°C，极大增强了器件的适用性，适合恶劣环境下的应用。
应用场景
STD30NF03LT4 的高性能特性使其广泛应用于各类电子电路：
- DC-DC 转换器：在开关电源设计中，这款 MOSFET 是非常理想的选择，因其低导通电阻和高电流能力可最大限度地提高效率。
- 电动机驱动：在电机驱动电路中，作为开关控制器来提高效率并减少发热。
- 电源管理：适用于负载开关、负载瞬变电流管理等场景，其良好的导通特性和高功率处理能力使其在家庭和工业电源管理中表现出色。
- 快速开关电路：在要求快速开关频率的电子设备中，如 LED 驱动和高效能开关电源，能够提供卓越的表现。
封装与散热
STD30NF03LT4 采用 DPAK 封装，专为表面贴装技术（SMT）设计。该封装形式提供了优异的散热性能，使产品在高功率应用下的散热能力得到可靠保障。它的引脚布局设计便于制造商在电路板上的安装与布局，从而节省空间并减少焊接过程中的复杂性。
总结
STD30NF03LT4 是意法半导体推出的一款高效率、高功率处理能力的 N 通道 MOSFET，完美适合集成在多种现代电子电路中。其广泛的应用特性使其成为设计工程师的优选组件，能够满足从消费电子到工业设备的多元化需求。