STB4NK60Z-1

产品概述：STB4NK60Z-1 N沟道MOSFET

产品简介

STB4NK60Z-1是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），该器件设计用于高压和高温应用。凭借其600V的漏源极电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），STB4NK60Z-1适用于各种电力电子设备，如开关电源、不间断电源（UPS）、电动机控制及其他工业应用。

主要特性

1. 电压和电流规格：

   • 漏源极电压（Vdss）为600V，能够承受高达此电压的操作，非常适用于高电压应用。
   • 25°C时的连续漏极电流（Id）为4A，确保在正常工作条件下的稳定性和可靠性。

2. 低导通电阻：

   • 在10V栅源电压下，2A时的最大导通电阻（Rds(on)）可达2Ω。低导通电阻能够减少经济损失并提升功率转换效率。

3. 栅源电压兼容性：

   • 栅源电压（Vgss）范围为±30V，支持多种驱动电压，方便集成到不同的电路设计中。

4. 热性能：

   • 该器件的最大功率耗散为70W，能够有效地管理温度，提高工作稳定性。
   • 工作温度范围高达150°C，适合在极端环境下持续运行。

5. 快速开关性能：

   • 在10V下的栅极电荷（Qg）最大为26nC，提供了出色的开关性能，能够提高开关频率并降低开关损耗。

6. 封装形式：

   • STB4NK60Z-1采用TO-262-3长引线布局的I²Pak封装，具有出色的散热性能和易于PCB安装的优势，适合通孔（THT）安装类型。

7. 电气参数：

   • 输入电容（Ciss）为510pF（在25V时），帮助保持高频率的良好性能。

应用领域

STB4NK60Z-1广泛应用于多个领域，尤其是在需要高效率、高稳定性和耐高温特性的场合。它的主要应用包括：

• 开关电源：高效地转换电能，以符合现代电子设备的能量需求。
• 变频器和电动机控制：通过调节电流和电压，实现对电机的精准控制。
• 工业设备：如焊接机、整流器等，能够承受高负载和恶劣环境。
• 太阳能逆变器：高效地将太阳能转换为电能，支撑可再生能源领域的蓬勃发展。

结论

STB4NK60Z-1是一个高效、可靠的N沟道MOSFET，凭借其优越的电气性能和耐高温特性，适用于多种高压和高温应用。意法半导体一直以来以其卓越的半导体设计和制造能力而著称，该器件无疑是推动电力电子技术持续发展的关键组件之一。对于设计工程师而言，STB4NK60Z-1的引入将为其电路设计提供更大的灵活性和高效的性能保障。