描述：表面贴装型-N-通道-800V-11A（Tc）-150W（Tc）-D2PAK
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
11.66
1000+
11.35
产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）800V
栅源电压 Vgss±30V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）800V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）400 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）43.6nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1630pF @ 25V
功率耗散（最大值）150W（Tc）
工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装D2PAK
STB11NM80T4 产品概述
STB11NM80T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道MOSFET，专门设计用于高电压和高功率应用，提供可靠且高效的解决方案。其主要特点包括支持高达800V的漏源极电压（V_dss）、11A的连续漏极电流（I_d），以及最大功率耗散可达到150W的能力。
主要规格
封装类型： STB11NM80T4采用D²Pak封装，符合TO-263-3系列标准。这种表面贴装（SMT）封装方式不仅方便集成到各种电路板设计中，还能够有效提高散热性能，是现代电子设计中常用的封装形式。
电气特性：
- 漏源极电压（V_dss）：高达800V，适用于要求较高电压的应用场合。
- 持续漏极电流（I_d）：在25°C环境温度下，连续电流可达到11A（Tc）。这使其成为高功率电源及负载驱动电路的理想选择。
- 功率耗散：最大功率耗散为150W（Tc），使得这种元件适用于高功率电路，能够承受较大的热负荷。
导通电阻（R_ds(on)）： 在5.5A电流下，导通电阻的最大值为400毫欧（Ω），在10V的栅极驱动电压下。这种低导通电阻特性使其在开关过程中损耗较少，提升了整体系统的效率。
栅极特性：
- 栅源极电压（V_gss）：最大耐压为±30V，适合多种驱动要求的电路设计。
- 栅极阈值电压（V_gs(th)）：最大值为5V @ 250µA，说明其在较低的栅极驱动电压下也能启动工作。
- 栅极电荷（Q_g）：在10V驱动下，最大栅极电荷为43.6nC，适合快速开关的应用。
频率特性：
- 输入电容（C_iss）：在25V时，输入电容最大值为1630pF，适合高频应用，有助于减小开关损失。
工作温度范围： STB11NM80T4的工作温度范围为-65°C至150°C，确保在严苛环境条件下仍然能稳定工作。
应用领域
由于STB11NM80T4的高电压、高电流特性，它被广泛应用于多种行业，包括但不限于：
- 电源管理：如开关电源（Switching Power Supply，SPS）和不间断电源（UPS）系统。
- 工业自动化：高功率驱动和控制电路。
- 汽车电子：例如大功率马达驱动和电池管理系统。
- 电力电子：如变频器（Inverter），电动驱动系统（Drive Systems）等。
总结
STB11NM80T4是一款值得信赖的高性能N沟道MOSFET，它凭借其卓越的电气特性和广泛的应用范围，非常适合现代高效率、高功率的电子设计需求。无论是在电源管理、汽车电子还是工业自动化领域，该器件都能提供优良的性能支持，帮助工程师实现更高效能的电路设计。在选择高电压、低导通电阻的解决方案时，STB11NM80T4无疑是一个理想的选择。