SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3 产品概述

产品名称

SQM100P10-19L_GE3

类型

P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

制造商

VISHAY（威世）

封装类型

TO-263（D²Pak）

基础参数

SQM100P10-19L_GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，设计用于各种高功率应用。其关键规格如下：

• 导通电阻（Rds On）：在30A和10V下，最大导通电阻为19毫欧，确保低功耗和高效能。
• 连续漏电流（Id）：在25°C的条件下，器件可承载高达93A的连续漏极电流，适合高负载需求的应用场景。
• 漏源电压（Vdss）：最高可承受100V的漏源电压，能够针对多种高压应用提供解决方案。
• 功率耗散：最大功率耗散为375W，适合严苛工作环境和长时间运行的电路设计。

工作温度

该MOSFET产品具备高达175°C的工作温度范围，最低工作温度为-55°C，这使得其在极端环境条件下仍能够稳定工作，特别适用于工业、汽车及航空航天等领域。

驱动电压与栅极电荷

SQM100P10-19L_GE3具有4.5V和10V的两个驱动电压选项，保证了在不同工况下的高效能操作。同时，在10V的栅极驱动下，栅极电荷（Qg）最大为350nC，利于优化开关速度，减少驱动损耗。

输入电容与栅极阈值电压

在漏源电压为25V的情况下，该MOSFET的输入电容Ciss最大为14100pF。此外，该元件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.5V@250µA，这让设计师在电路设计中能够有更大的灵活性与选择余地，方便实现对MOSFET的可靠控制。

应用场景

SQM100P10-19L_GE3 MOSFET的高电流处理能力、低导通损耗以及宽温度范围使其特别适用于：

• 电源管理：用于DC-DC变换器、开关电源以及高效电源系统。
• 汽车电子：用于电动汽车的电池管理系统及动力转换。
• 工业控制：适用于电机驱动和其他工业自动化系统。

总结

SQM100P10-19L_GE3是一款极具竞争力的P沟道MOSFET，凭借其优异的电气性能、高功率处理能力以及广泛的工作温度范围，能够高效满足各种高要求的应用需求。作为一款来自VISHAY的高品质器件，它在节能、可靠性方面提供了显著的优势，是现代电子设计中理想的选择。无论是在电源管理还是高功率条件下的复杂电路中，SQM100P10-19L_GE3都能够展现出卓越的性能，为电路设计师提供更多可能性。