型号:

ZXTN2010GTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:0.188g
其他:
ZXTN2010GTA 产品实物图片
ZXTN2010GTA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 3W 60V 6A NPN SOT-223
库存数量
库存:
13226
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.73
1000+
1.6
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)6A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)24W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@2A,1V
特征频率(fT)130MHz
集电极截止电流(Icbo)500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)60mV@1A,50mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:ZXTN2010GTA - NPN 晶体管

1. 产品简介

ZXTN2010GTA 是一种高性能的 NPN 型晶体管,由 DIODES(美台)公司制造,采用 SOT-223 封装,旨在满足多种电子应用的需求。其具有优良的电气特性和可靠性,使其在功率放大、开关和信号处理等领域表现出色。此晶体管特别适合高频、高效率的应用场景,支持最多 6A 的集电极电流和高达 60V 的集射极击穿电压。

2. 主要特点

  • 类型:NPN
  • 集电极电流 (Ic):最大值可达 6A,适用于需要高电流输出的电路。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为 60V,确保在高压环境下安全运行。
  • 额定功率:最大功率为 3W,适合功率密集型应用。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 6A 和不同的基极电流 (Ib) 下,最大饱和压降为 260mV,这保证了高效的电能传输。
  • 集电极截止电流 (ICBO):在 50nA 的最大值下,体现了该器件的良好密封性及低漏电特性。
  • 直流电流增益 (hFE):在 2A 和 1V 下的最小增益为 100,确保在大多数应用中都能满足增益需求。
  • 频率特性:跃迁频率为 130MHz,适合高频应用,提供更快的开关速度。
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C 的广阔工作温度范围,使其在极端环境条件下仍能稳定工作。
  • 安装类型:表面贴装型,适合现代电子产品的紧凑设计。

3. 封装和尺寸

ZXTN2010GTA 采用 SOT-223 封装,属于小型封装形式,适合高密度电路板设计。该封装的体积小、散热性能良好,非常适合便携式设备和空间有限的应用场合。

4. 应用领域

ZXTN2010GTA 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源开关:适用于开关电源和直流-直流转换器,可以在高功率下切换。
  • 音频放大器:作为放大元件,在音频设备中提供高质量的信号放大。
  • 驱动电路:可用于驱动各种负载,如马达、继电器和LED阵列等。
  • 信号处理:在信号处理应用中可作为高效的放大器,提升信号质量。

5. 结论

ZXTN2010GTA 是一款具有优异性能和高可靠性的 NPN 晶体管,适合各种需要高电流和高频的电子应用。该产品不仅在技术规格上满足了现代电子产品的需求,还具备良好的工作稳定性,能够在严酷的温度条件下持续运作。无论是在消费电子、工业自动化还是通信领域,ZXTN2010GTA 都是一个杰出的选择,为设计师提供了广泛的灵活性和优秀的性能表现。