型号:

ZXT12N20DXTA

品牌:DIODES(美台)
封装:MSOP-8
批次:24+
包装:编带
重量:0.059g
其他:
ZXT12N20DXTA 产品实物图片
ZXT12N20DXTA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.04W 20V 3.5A NPN MSOP-8
库存数量
库存:
1000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.2
1000+
4.98
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3.5A
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)1.04W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)300@1A,2V
特征频率(fT)112MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)160mV@3.5A,50mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:ZXT12N20DXTA

基本信息

ZXT12N20DXTA是一款高性能的NPN双晶体管,专为需要高电流和高增益的应用而设计。该器件具有优异的电气特性,适合用于多种电子电路中,包括开关电源、高频放大器和功率控制等应用。其主要特点包括最大集电极电流Ic为3.5A、集射极击穿电压Vce为20V,以及较低饱和压降,使其在高负载情况下依然能够保持良好的工作性能。

关键参数

  • 类型: NPN(双晶体管)
  • 集电极电流(Ic): 最大值为3.5A,这使得ZXT12N20DXTA能处理高功率负载。
  • 集射极击穿电压(Vce): 最高可达到20V,为该器件提供了较强的耐压能力。
  • 饱和压降(Vce(sat)): 在Ic为3.5A时,Vce的最大饱和压降为200mV,显示出出色的效率。
  • 电流增益(hFE): 在Ic为1A和Vce为2V的条件下,最小电流增益为300,表明该晶体管在放大应用中的有效性。
  • 截止电流: 最大截止电流为100nA,确保了该元器件在非导通状态下的低功耗表现。
  • 频率特性: 具有112MHz的跃迁频率,适合高频率应用。

工作环境

ZXT12N20DXTA的工作温度范围非常广,从-55°C到150°C,使其能在极端环境下稳定工作,适合各种工业和消费类电子产品的需求。这种特性对于需要在变温环境中工作的设备尤其重要,例如汽车电子、工业控制系统等。

封装与安装

该晶体管采用表面贴装型(MSOP-8)封装,尺寸为0.118"(3.00mm宽),其设计可以有效减少电路板的占用面积,提升组件的集成度,使其更适合空间有限的现代电子产品。MSOP-8封装不仅能保证良好的散热性,还便于自动化装配,降低生产成本。

应用领域

ZXT12N20DXTA由于其高电流和高频率特性,被广泛应用于多种场合:

  1. 开关电源:其高集电极电流和低饱和压降特性使得ZXT12N20DXTA在开关电源中表现优良,能够提高电源转换的效率。
  2. 音频放大器:凭借其高电流增益和宽频带特性,ZXT12N20DXTA可被用作音频放大器的输入或输出级,提供清晰的音频信号。
  3. 电机驱动:对电流的高承受能力,使其适合用于小型电机的驱动,能够有效控制和调节电机的工作状态。
  4. 信号放大:可以在高频信号链中使用,适应高速数据传输的需求。

结语

总结而言,ZXT12N20DXTA是一款性能卓越的NPN双晶体管,满足高电流和耐压的要求,适用广泛的应用场景。依靠其高电流增益、低饱和压降和广泛的工作温度特性,毫无疑问将成为现代电子电路设计中的优选元件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,ZXT12N20DXTA都能够为工程师提供可靠的解决方案,提高系统的整体性能和稳定性。