型号:

ZXMP10A17E6TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT26
批次:23+
包装:编带
重量:0.043g
其他:
ZXMP10A17E6TA 产品实物图片
ZXMP10A17E6TA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.1W 100V 1.3A 1个P沟道 SOT-26
库存数量
库存:
1141
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.82
100+
1.46
750+
1.3
1500+
1.22
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)350mΩ@10V,1.6A
功率(Pd)8.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.1nC
输入电容(Ciss@Vds)424pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)29.8pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

ZXMP10A17E6TA 产品概述

1. 产品简介

ZXMP10A17E6TA 是一款由 DIODES(美台)公司生产的高性能 P沟道 MOSFET(场效应管),具有良好的电气特性和高工作稳定性。该器件采用 SOT-26 表面贴装封装,适用于各种需要高效开关和调节的电子设备。这款 MOSFET 具有 100V 的漏源电压支持和高达 1.3A 的连续漏极电流能力,使其成为在功率转换、开关电源和低压高频信号调节等应用场景中的理想选择。

2. 关键参数

  • 漏源电压(Vdss): 高达 100V,适合于高压环境下的应用。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 时为 1.3A,能够满足多数低功耗设计需求。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 为 4V @ 250 µA,适合于多种逻辑电平驱动信号。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 350 mΩ @ 1.4A, 10V,确保器件在导通状态下的低功耗。
  • 最大功率耗散: 1.1W(Ta=25°C),提供了足够的功率处理能力。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,适应极端环境的需求。

3. 电气特性

ZXMP10A17E6TA 的电气特性使其非常适合用于高效开关电源(SMPS)、电机控制以及其它需要快速切换的应用。这些电气特性包括:

  • 导通电阻: 相对较低的 Rds(on) 值提升了开关效率,减少了能量损失,降低了发热量。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 6.1 nC @ 5V,这能够提供较快的开关速度,降低栅极驱动功耗。

4. 封装与安装

ZXMP10A17E6TA 采用 SOT-26 封装,表面贴装设计使得器件在电路板上的安装更加便捷,并且节省了空间。该封装的设计也有助于散热,增强了器件在高功率条件下的可靠性。同时,SOT-26 封装尺寸使得 ZXMP10A17E6TA 可非常适合用于手机、平板电脑及便携式设备等小型化产品中。

5. 应用领域

该 MOSFET 在诸多领域内均有所应用,主要包括但不限于:

  • 开关电源: 适合用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等,满足不同的电源效率与稳定性需求。
  • 电机驱动: 适合在直流电机或步进电机的驱动应用中使用,提供可靠的开关控制。
  • 低压电路保护: 在需要过压或过流保护的应用中,该 MOSFET 可作为快速断开电路的开关使用。
  • 家电与消费电子: 其较高的额定电压和电流使其适用于各类家电产品和消费电子中,如自动化控制、灯光控制等。

6. 总结

ZXMP10A17E6TA 是一款高度集成的 P沟道 MOSFET,具有宽广的应用范围和优越的电气特性。凭借其高达 100V 的电压支持、低导通电阻及稳定的工作性能,它能够在多种电源管理和信号调节应用中发挥重要作用。其 SOT-26 表面贴装封装形式,更是符合当今电子设备日益向小型化、高性能发展的趋势。

通过以上特点和应用,ZXMP10A17E6TA 不仅在设计和开发过程中能够为工程师提供可靠性,还能有效满足现代电子产品中对功率效率和尺寸优化的双重需求。