型号:

ZXMP10A16KTC

品牌:DIODES(美台)
封装:TO252
批次:2年内
包装:编带
重量:0.36g
其他:
ZXMP10A16KTC 产品实物图片
ZXMP10A16KTC 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.15W 100V 3A 1个P沟道 TO-252
库存数量
库存:
15000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.83
100+
2.36
1250+
2.15
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)4.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)235mΩ@10V,2.1A
功率(Pd)4.24W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)717pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)46.4pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

ZXMP10A16KTC 产品概述

产品概述

ZXMP10A16KTC 是一种高性能的 P 型通道 MOSFET,专为各种电子应用而设计,适合需要高效开关性能的电路。这款 MOSFET 的主要特点包括其表面贴装设计、宽广的工作温度范围和卓越的电流处理能力,使其在多个行业和应用中表现出色。

关键规格

  • 封装与安装类型: ZXMP10A16KTC 采用 TO-252 封装,这种表面贴装型设计使其能够在空间受限的电子产品中得到有效应用。

  • 电气特性:

    • 导通电阻 (Rds(on)): 在 2.1A 和 10V 条件下,最大导通电阻为 235 毫欧,为保障高效能提供了出色的性能。
    • 连续漏极电流 (Id): 该MOSFET 可以在环境温度达到 25°C 时,支持高达 3A 的持续电流,满足大多数低至中功率应用的需求。
    • 漏源电压 (Vdss): 最高可承受 100V 的漏源电压,适用于高压电路。
  • 门极驱动:

    • 最大 Vgs: 此器件的栅极-源极电压可达 ±20V,这样的范围使得它能够轻松兼容大多数驱动电路。
    • 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下,栅极电荷达到最大 16.5nC,使得该器件在开关过程中具有良好的响应特性,有助于提高系统的操作效率。
  • 电容特性:

    • 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 717pF(在 50V 条件下),这使得它在高频应用中仍然能保持较低的信号损耗,适应多种信号处理需求。

应用场景

ZXMP10A16KTC 适用于多种应用场景,主要包括但不限于:

  1. 电源管理: 可用作开关调节器、DC-DC 转换器和电池管理系统,保证了高效能和长寿命。
  2. 音频放大器: 在音频放大器电路中,良好的导通特性和低导通电阻可确保信号的清晰传递,无失真。
  3. 负载开关: 在 LED 驱动和小功率电机控制等应用中,该器件可以有效控制电源开关,对负载进行精确管理。
  4. 汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C),ZXMP10A16KTC 也适用于汽车电子领域,能够在极端环境下保证稳定的性能表现。

优势分析

  • 高效能: ZXMP10A16KTC 的优秀导通电阻和高漏极电流能力使其能够在降低功率损耗的同时,实现高效能的操作。
  • 耐温性: 其宽广的工作温度范围确保了在恶劣环境条件下,器件仍能保持可靠性与稳定性。
  • 集成设计: 采用表面贴装封装使得该元件更易于集成于现代小型化、轻量化的电子设备中。

总结

ZXMP10A16KTC 不仅在高效能中展现出色表现,其在多种应用中的灵活性和可靠性,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子,还是在工业应用中,ZXMP10A16KTC 都能满足设计工程师对性能和可靠性的双重需求,助力各类电子产品的创新与发展。