描述：场效应管(MOSFET) 330mW 60V 150mA 1个N沟道 SOT-23
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3000+
0.615
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)150mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,500mA
功率(Pd)330mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)35pF@18V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
ZVN3306FTA 产品概述
ZVN3306FTA是一款性能优越的N沟道MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，尤其是在开关电源、控制电路以及信号放大等领域。其设计旨在提供高效的电流控制和较低的导通电阻，以满足现代电子设备日益严苛的性能需求。
主要参数
ZVN3306FTA的核心参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 150mA（在25°C环境温度下）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 2.4V @ 1mA
- 导通电阻（Rds On）: 5Ω @ 500mA, 10V
- 最大功率耗散: 330mW（Ta=25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3
这些参数使得ZVN3306FTA非常适合用于低至中等功率应用，尤其是在高效率开关电源、LED驱动器和其他功率管理电路中。
关键特性
高效能设计: ZVN3306FTA具有较低的导通电阻，达到5Ω的目标值，这意味着在高电流运行时将产生较少的功率损耗。这使得其在开关电源应用中能够显著提高效率，从而减少热管理的复杂性。
较高的耐压能力: 该器件提供高达60V的漏源电压，这使得它能够处理多种应用场合的适用性，尤其是在高电压环境中。
宽工作温度范围: ZVN3306FTA的工作温度范围为-55°C到150°C，极大地增强了其在各种环境中的应用范围，包括严苛的工业环境和高温应用场合。
小型封装: 采用SOT-23封装，使得这一MOSFET非常适合现代紧凑型电子设备的需求，具备较小的占用空间和良好的焊接性，非常适合表面贴装（SMT）技术。
应用场景
ZVN3306FTA可广泛应用于多种电子设计中，具体应用场景包括但不限于：
- 开关电源: 由于其低导通电阻和高电压耐受能力，适合用于DC-DC转换器和其他电源管理系统。
- LED驱动: 在LED驱动电路中可用作切换元件，提供高效的电源供应。
- 信号开关: 作为低功耗信号开关使用，能够实现更快的开关响应和控制。
- 电机控制: 用于小型电机驱动电路中，控制电机的启停和速度调节。
总结
ZVN3306FTA是一款综合性能卓越的N沟道MOSFET，凭借其高压性能、低导通电阻和宽工作温度范围，成为了众多电子应用中的理想选择。无论是用于开关电源、LED控制，还是其他中小功率的电气控制，ZVN3306FTA都能够提供稳定、高效的工作性能，是设计师在寻找充满活力的解决方案时的有力工具。随着电子设备向着更高效率和更小尺寸的发展趋势，ZVN3306FTA无疑将在市场中继续发挥其重要作用。