型号:

UMC4N-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT353
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
UMC4N-7 产品实物图片
UMC4N-7 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-353
库存数量
库存:
3008
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.254
3000+
0.225
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)68@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@2mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA
输入电阻47kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

UMC4N-7 产品概述

UMC4N-7 是一款由 DIODES(美台)公司生产的高性能数字晶体管,采用5-TSSOP封装(SOT-353),专为现代电子电路设计而优化。该元件包含一个NPN和一个PNP晶体管,采用预偏置配置,能够满足多种应用场合的需求,尤其在低功耗和高效率的数字电路中表现优异。

基本特性

UMC4N-7 的最大集电极电流(Ic)可达100mA,能够应对相对较高的负载需求,适用于大多数小型电源管理、电流放大、开关电路等应用。该产品的最大集射极击穿电压(Vce)达50V,赋予其在高电压环境下的良好性能,确保提高电路的可靠性。

电流增益与饱和特点

UMC4N-7 在不同的Ic和Vce条件下的直流电流增益(hFE)最小值为68(在5mA,5V条件下测得),这表明即使在较低的电流条件下,该元件仍能提供较高的电流增益,适合用于信号放大和开关应用。此外,该元件在500µA和10mA下的Vce饱和压降最大为300mV,这意味着在开关操作时,其功耗十分低,有助于提升整体电路的能效。

低漏电流和高频特性

漏电流(Ic cutoff)在最大值为500nA的情况下,进一步减少了在待机模式下的功耗,使得该产品在待机时也能保持良好的能效特点。UMC4N-7的频率跃迁特性可达250MHz,这意味着其在高频应用中表现出色,非常适用于通信、信号处理和脉冲宽度调制(PWM)控制等场合。

应用领域

得益于其优越的电气特性和灵活的封装设计,UMC4N-7可广泛应用于数个领域,包括但不限于:

  1. 数码产品:适用于手机、平板电脑、智能家居设备等数字化产品中的信号放大和开关控制。
  2. 电源管理:在开关电源、线性稳压器及电池管理系统中用于高效开关控制。
  3. 消费电子:在音频设备、传感器接口及各类消费电子设备中充当开关器件或信号中继。
  4. 工业自动化:可以用于工业控制器中的信号处理和电源管理单元,提升系统的响应速度及能效。

封装与安装形式

UMC4N-7采用的SOT-353封装形式,具有小尺寸和低包装高度的优点,最适合表面贴装应用(SMD),为电路设计提供了更多的布局选择和灵活性。同时,SOT-353的低电感特性保证了高频操作时的稳定性和可靠性,减少了由于封装引起的不必要信号干扰。

视觉特性与应用考虑

UMC4N-7的数字晶体管设计不仅注重电气性能,还考虑到易于集成和焊接的需求,适合现代自动化生产线的便捷处理。在实际应用中,设计工程师可通过精确控制基极电阻(R1: 47kΩ和10kΩ)及发射极电阻(R2: 47kΩ)来实现所需的电流特性,从而更好地调优电路的整体性能。

结论

总体而言,UMC4N-7是一款技术先进、性能稳定的数字晶体管,为设计师在面对不断发展的电子产品需求时提供了理想的解决方案。无论是用于信号处理、开关控制还是其他电子设计方面,UMC4N-7都能够提供出色的表现,帮助电子设备实现更高的性能和效率。通过将UMC4N-7应用于诸多领域,设计师和工程师们能够进一步提升电子产品的性能水平,满足消费者对智能化、低功耗电子产品日益增长的需求。