型号：
STW24NM65N
品牌：ST(意法半导体)
封装：TO-247-3
批次：-
包装：管装
重量：-
其他：
-
描述：通孔 N 通道 650 V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：30
商品单价
梯度内地(含税)
1+
13.06
产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-247-3
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）650V
安装类型通孔(THT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）190 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）70nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2500pF @ 50V
功率耗散（最大值）160W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装TO-247-3
STW24NM65N 产品概述
1. 概述
STW24NM65N 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件专为高压应用而设计，具有650V的漏源极电压（Vdss），适合于各种功率管理和转换系统。这款MOSFET以其出色的电流承载能力、低导通电阻与高开关频率而受到广泛关注。
2. 基本特性
STW24NM65N的主要参数如下：
- 封装与外壳: 选用TO-247-3封装，这种封装适合大功率应用，能有效散热并减少安装空间。
- FET类型: N沟道MOSFET，具有高效的电子迁移能力，广泛用于高效开关电路。
- 漏源级电压（Vdss）: 650V，能够承受高电压工作环境。
- 电流: 在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达19A，适应多种电源设计。
- 驱动电压: 最大Rds On下，最小Rds On要求为10V，有利于降低导通损耗。
- 导通电阻: 在9.5A和10V应用情况下，最大导通电阻为190毫欧，显著降低了在导通状态下的功率损耗。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4V（@ 250µA），可以快速实现开关状态。
- 输入电容（Ciss）: 在50V下，输入电容的最大值为2500pF，确保在高频开关时的电力损耗最小。
3. 功率与效率
该MOSFET的功率耗散能力可达160W（Tc），适合要求高功率性能的应用。此外，工作温度范围在-55°C到150°C之间，使其可用于极端的环境条件。这些特性使STW24NM65N能够在各种功率转换及开关电源中高效使用，确保产品的长时间稳定运行。
4. 应用场景
STW24NM65N适用于多个高压、高电流的应用场景，包括：
- 开关电源（SMPS）: 凭借低导通电阻和高效率，STW24NM65N非常适合用于适配器、充电器等开关电源中。
- 电机驱动: 该MOSFET的高电流承载能力使其非常适合用于电机控制领域，如无刷直流电机（BLDC）驱动。
- 电源管理系统: STW24NM65N能够在电源转换、各种能量分配系统中实现高效的能源管理。
- 逆变器: 在可再生能源系统中（如太阳能逆变器），该买MOSFET非常适合用于电压转换和应对瞬态电流。
5. 总结
STW24NM65N MOSFET因其卓越的性能和灵活的应用范围，成为电力电子设计师的理想选择。其高耐压、高电流承载能力以及低导通损耗，使其在现代电子设备中占据重要地位。不论是在开关电源、电机控制还是各类功率管理系统中，STW24NM65N皆能提供出色的性能表现。
通过结合先进的MOSFET技术和意法半导体强大的研发能力，STW24NM65N为用户提供了一种可靠且高效的解决方案，以满足日益增长的市场需求。无论您是设计工程师还是开发者，这款MOSFET都能助您一臂之力，访求更高效、更节能的设计解决方案。