STP4NK80Z

STP4NK80Z 产品概述

1. 产品简介

STP4NK80Z是一款高性能N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造。这款MOSFET的主要特点包括高漏源电压、适中的连续漏极电流能力和较低的导通电阻，使其在各种应用中表现出色。STP4NK80Z采用TO-220AB封装，便于散热和安装，适用于工业、消费电子及汽车等多个领域。

2. 主要规格

• 漏源电压（Vdss）: 800V
• 连续漏极电流（Id）: 3A（在25°C下，气候条件条件下）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA
• 漏源导通电阻（Rds On）: 3.5Ω @ 1.5A，10V
• 输入电容（Ciss）: 575pF @ 25V
• 栅极电荷（Qg）: 22.5nC @ 10V
• 最大功率耗散: 80W（在25°C条件下）
• 工作温度范围: -55°C至150°C
• 封装类型: TO-220AB

3. 应用场景

STP4NK80Z因其高耐压、可靠的电流承载能力和高功率处理能力，广泛应用于以下领域：

• 开关电源: 适用于高电压和高频率的开关电源，能够有效提高电源效率，降低电磁干扰（EMI）。
• 电机驱动: 在电机控制应用中，STP4NK80Z可用于驱动大功率电机，适合应用于自动化设备和工业机器人中。
• 家电控制: 利用其高压特性，适合用于各种家用电器的开关控制，如洗衣机、微波炉等。
• 照明控制: 能够作为LED驱动和调节电路的开关元件，提高照明系统的稳定性和效率。

4. 性能优势

• 高耐压: 800V的漏源电压，能够满足高压应用需求，使其在各种电力电子应用中表现优异。
• 低导通电阻: 3.5Ω的低导通电阻减小了在开关状态下的功率损耗，提高效率并降低热量产生。
• 良好的热特性: 最大功率耗散能力为80W，确保器件在高负载运行时保持稳定，有效延长其使用寿命。
• 宽工作温度范围: -55°C至150°C的宽范围适合恶劣环境下的使用，增加了应用的灵活性。

5. 封装与安装

STP4NK80Z采用TO-220AB封装，具有较好的散热性能，方便通孔安装，适合于PCB板上的高功率应用。此类封装不仅提升了电气和热性能，而且也简化了系统设计与组装过程，适合需长时间稳定工作的电子设备。

6. 总结

STP4NK80Z是一款设计先进、性能优越的N沟道MOSFET，因其高压、高效率及宽广的适用环境，成为现代电力电子设计者的理想选择。无论是在开关电源、工业电机驱动还是现代家电控制领域，STP4NK80Z都能提供可靠的解决方案，能够帮助工程师实现更高性能的电路设计，满足日益增长的电子产品性能和设计要求。