描述：表面贴装型-N-通道-20V-50A（Tc）-6.8W（Ta）-65W（Tc）-TO-252-（D-Pak）
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）20V
栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）30nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2550pF @ 10V
功率耗散（最大值）6.8W（Ta），65W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装TO-252，（D-Pak）
产品概述：SUD50N02-06P-E3
基本信息
SUD50N02-06P-E3 是由威世（VISHAY）公司制造的一款高性能N通道MOSFET，广泛应用于各种电子电路中，尤其是在功率转换和驱动领域。该器件采用TO-252（D-Pak）封装，表面贴装设计（SMT），使其适合现代高密度电路板的要求。
主要技术参数
- 封装类型：TO-252-3（D-Pak），适合表面贴装，能有效减少PCB占用面积。
- FET类型：N缆道MOSFET，确保在负载高功率时提供稳定和可靠的性能。
- 漏源极电压（Vdss）：20V，适用于低电压应用，如DC-DC变换器、马达驱动等。
- 电流规格：最大连续漏极电流为50A（在TC条件下测试），提供充足的电流承载能力。
- 导通电阻：在Vgs=10V、Id=20A条件下，最大导通电阻仅为6毫欧，表现出色，能有效降低能量损耗。
- 栅源电压 (Vgs)：±20V，允许较大的栅极驱动范围，便于与各种控制信号兼容。
- 输入电容 (Ciss)：在Vgs=10V时输入电容为2550pF，确保较好的开关速度与高效的驱动响应。
- 工作温度范围：-55°C至175°C，适合高温环境下的应用，如工业控制和汽车电子。
性能优势
高功率处理能力：该器件在Ta条件下的最大功率耗散为6.8W，而在TC条件下可达到65W，意味着它能在多种工作环境下维持良好的散热性能。
低导通电阻：SUD50N02-06P-E3 的低导通电阻显著减少了能量损耗，提高了系统的整体能效，拓宽了其在功率密集型应用中的适用性。
快速开关响应：由于其较低的栅极电荷(同时达成30nC @ 4.5V)，该MOSFET能够在高频操作中实现快速切换，适合于开关电源和其他需要快速开启/关闭的应用。
宽工作温度范围：从-55°C至175°C的工作温度范围使其在极端环境下保持稳定，适合严苛的工业和汽车应用。
应用场景
由于其优异的性能，SUD50N02-06P-E3广泛应用于以下领域：
- DC-DC转换器：在电源管理系统中提供高效的电流控制，提高电源效率。
- 马达驱动电路：可用于各种马达控制应用，如直流电动机驱动与自动化设备。
- 电源开关：在开关电源设计中应用，确保高效能率及快速响应。
- 通信设备：可用于高频信号处理与转换电路中，提供稳定的工作性能。
总结
SUD50N02-06P-E3是一个功能强大且多用途的N通道MOSFET，凭借其出众的电气特性，低导通电阻和宽广的工作温度范围，使其在现代电子系统中表现卓越。它不仅适合在功率密集的环境中运行，同时也提供了可靠的性能与灵活性，成为许多设计工程师的优选元器件。对于寻求提升系统效率与可靠性的工程项目，这款产品无疑是一个理想的解决方案。