描述：Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
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600+
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-247-3
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）600V
栅源电压 Vgss±25V
安装类型通孔(THT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）110 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）80.4nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2785pF @ 50V
功率耗散（最大值）190W（Tc）
工作温度150°C（TJ）
供应商器件封装TO-247
STW34NM60ND 产品概述
产品基本信息
STW34NM60ND 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款 N 沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），封装形式为 TO-247-3。这款MOSFET特别设计用于实现高效能和高可靠性的电能转换，广泛应用于功率电子设备中，比如开关电源、逆变器和电机控制等场合。
关键技术参数
- 漏源极电压（Vdss）: 该产品的漏源极电压为 600V，适合用于高压应用，其设计能够有效抑制电源过压情况，提高了系统的稳定性。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C（Tc）环境下，STW34NM60ND 可提供高达 29A 的连续漏极电流，为高功率应用提供了充足的电流输出。
- 栅源电压（Vgss）: 此MOSFET的栅源电压额定值为 ±25V，确保在不同操作条件下的驱动能力。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在特定条件下（14.5A 和 10V），该元器件的最大导通电阻值为 110 毫欧（mΩ），这意味其在导通时的功率损耗非常小，有助于提升整体系统效率。
- 功率耗散: STW34NM60ND 最大功率耗散为 190W (Tc)，使其能够在高功率环境下正常工作而不至于过热。
- 开关特性: 该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为最大 80.4nC @ 10V，这为驱动电路提供了较低的损耗和更快的开关速度，提高了整体的频率响应能力。
应用场景
STW34NM60ND 是用于高功率开关和频率调节应用的理想选择。它常见于：
- 开关电源 (SMPS): 高压与高效率的典型应用场景，能够在不增加过多损耗的情况下，确保高效转换与供电。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车逆变器中，提供稳定与高效的电力转换，提升系统整体性能。
- 电机控制: 在高性能电机驱动系统中，通过其优异的开关性能和导通性能，帮助控制电机的转速与扭矩。
散热与工作环境
STW34NM60ND 适合在复杂的操作环境中使用，其工作温度范围可达 150°C（TJ），为器件的可靠性提供了保障。同时，由于其 TO-247 封装设计，优化了热导性能和散热效率，使得其在高负载情况下仍能维持稳定运行。
总结
综上所述，STW34NM60ND N 沟道 MOSFET 是一款性能卓越、高压适应性强的电子元件，充分体现了意法半导体在功率管理领域的先进技术。其优越的电气特性和适用广泛的应用场景，使其成为设计工程师在选择高效功率转换元件时的理想选择。无论是在低功耗设备还是高性能工业应用中，STW34NM60ND 无疑能够为客户带来更高的设计灵活性与系统效率。