STW13NK100Z

STW13NK100Z 产品概述

STW13NK100Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件专为高电压和大电流应用设计，具有卓越的导通性能和良好的热管理能力，广泛应用于电源管理、工业控制和电动汽车等领域。

主要技术参数

1. 漏源电压（Vdss）: 1000V

   • STW13NK100Z 可在高达 1000V 的极高电压下稳定工作，适合用于高压开关电源、变换器及其他高压应用。

2. 连续漏极电流（Id）: 13A (Tc)

   • 在 25°C 的环境下，该 MOSFET 能持续承载的漏极电流高达 13A，提供了较高的电流承载能力，适用于负载较大的电气设备。

3. 导通电阻（Rds(on)）: 700mΩ @ 6.5A, 10V

   • 其低导通电阻特性意味着在处理较高电流时，其功率损耗小，提升了电路效率并降低了功率发热，进而提高了系统的可靠性和稳定性。

4. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 150µA

   • 较低的栅极驱动电压使得 STW13NK100Z 可快速开关，减少开关损耗，提高系统性能。

5. 栅极电荷（Qg）: 266nC @ 10V

   • 该值反映了其在开关操作中的响应速度，较低的栅极电荷可以让 MOSFET 在高频开关应用中表现良好。

6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)

   • STW13NK100Z 具备宽广的工作温度范围，确保其在各种严苛环境下的可靠性，使其在极端温度条件下仍然能够稳定工作。

7. 功率耗散（Pd）: 350W (Tc)

   • 该器件在较高环境温度及负载条件下具有出色的功率处理能力，适合用于高功率电源设计。

8. 封装类型: TO-247-3

   • TO-247 封装设计确保了良好的散热特性，适合于需要高功率和高电流的应用，使安装和散热变得更加高效。

典型应用

STW13NK100Z 强大的性能使其在许多应用场合中大显身手，包括但不限于：

• 开关电源: 高压和高效能的电源转换器，以及逆变器。
• 工业控制: 用于电机驱动和控制器设计，提供高压保护和高电流输出。
• 电动汽车: 适合用于电池管理系统和电动机驱动的高效控制。
• 变频器: 在各种工业应用中对电机变频控制提供支持，提升能效。

总结

STW13NK100Z 是一款性能卓越、功能丰富的 N 沟道 MOSFET，它凭借其高额的电压、电流处理能力和低导通电阻，适合于苛刻的电气环境，具有极高的应用价值。无论是在电源设计、工业控制还是电动汽车领域，STW13NK100Z 都为现代电子设备提供了理想的解决方案。选择 STW13NK100Z，即是选择了一款高效能、高可靠性的 MOSFET，能够满足未来多变的科技需求。