STP160N3LL

STP160N3LL 产品概述

概述

STP160N3LL 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品采用 TO-220-3 封装，具有优越的电气特性和可靠性，特别适用于高电流和中等电压的电源转换、开关电源、逆变器及电机驱动等应用场景。

基础参数

• 封装/外壳: TO-220-3
• FET 类型: N 沟道
• 漏源极电压（Vdss）: 30V
• 栅源电压（Vgss）: ±20V
• 安装类型: 通过孔（THT）

电气特性

STP160N3LL 的主要电气特性如下：

• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 下的最大连续漏极电流为 120A，在适当的冷却条件下，能够在更高温度下维持高性能，特别适合高负载应用。
• 导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs 为 10V，Id 为 60A 时，最大导通电阻仅为 3.2 毫欧，确保低的功耗和高的效率，实现卓越的电流传导能力。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 2.5V @ 250µA，这意味着该器件能在相对较低的栅极电压下切换，从而提高驱动电路的效率。
• 栅极电荷（Qg）: 为 42nC @ 4.5V，低栅极电荷有助于提高开关频率，适应高效的开关电源应用。
• 输入电容（Ciss）: 最大值为 3500pF @ 25V，适合高频率操作，减少开关时的能量损失。

热特性

• 功率耗散: 最大功耗为 136W，这意味着 STP160N3LL 能够支持高功率应用而不易过热，尤其在严苛的工作环境下表现依然出色。
• 工作温度范围: -55°C 至 175°C，广泛的工作温度范围使其能够适用于各种工业和汽车应用。

应用领域

STP160N3LL 的特性使其广泛应用于：

• 开关电源: 其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率开关电源设计的理想选择。
• 电机控制: 在直流电机和步进电机控制中，能有效地提供高电流输出，确保稳定性能。
• 电力管理: 在各种电力转换和管理系统中，STP160N3LL 提供了可靠的性能，支持各种功率要求。
• 逆变器应用: 能够在太阳能逆变器和UPS系统中提供高效的功能，确保可靠的电力输出。

结论

作为一款高效的 N 沟道 MOSFET，STP160N3LL 结合了优异的电气性能和强大的热管理能力，适合应用在多种高电流密度和中等电压的场合。无论是在消费电子、汽车行业还是工业控制系统中，其卓越的性能都能够满足用户对可靠性和效率的要求。选择 STP160N3LL，您将拥有一款能够在各种应用中实现最佳性能的场效应管。