描述：场效应管(MOSFET) 90W 1kV 2.5A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.66
100+
4.72
1250+
4.29
2500+
4.12
产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）1000V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2.5A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 50uA
漏源导通电阻6Ω @ 1.25A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）90W(Tc)
类型N沟道
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）6 欧姆 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）18nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）601pF @ 25V
功率耗散（最大值）90W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装DPAK
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
STD3NK100Z 产品概述
1. 产品简介
STD3NK100Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET，适用于需要高电压和较大电流的电路应用。这款MOSFET具备高达1000V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），在25°C时表现出色，其高功率耗散能力可达到90W，使其在多种电源管理与开关应用中大受欢迎。
2. 关键特性
- 高漏源电压（Vdss）: 达到1000V，特别适合高压应用，比如工业电源、光伏逆变器、LED驱动器等。
- 高功率耗散能力: 最大功率耗散（Ta=25°C）为90W，理想用于高负载条件下的应用。
- 低导通电阻（Rds(on)）: 在1.25A和10V的条件下，漏源导通电阻为6Ω，意味着在导通状态下能有效减少功率损耗和热量生成，从而提高整体效率。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4.5V @ 50µA，带来了灵活的驱动设计，适用于多种控制电路。
- 优异的开关性能: 栅极电荷（Qg）最大值为18nC @ 10V，意味着快速开关能力，适合于快速开关电源 (SMPS) 和高频应用。
3. 应用场景
由于其杰出的特性，STD3NK100Z广泛应用于以下领域：
- 电源转换器: 在开关电源、DC-DC转换器中，作为主要的功率开关元件负责电能的转换和管理。
- 电动机驱动: 适用于电机控制电路，可实现高效的电动机驱动以降低能源消耗。
- 照明控制: 在LED驱动应用中，可用于灯光调节和开关，提供优良的性能和较低的发热量。
- 工业自动化: 在可控硅（SCR）替代或逻辑驱动电路中，提供高效率的开关解决方案。
4. 封装与安装
STD3NK100Z采用TO-252（DPAK）封装，这种表面贴装型封装具有良好的热性能及紧凑的尺寸，使得在PCB设计中可以节省空间，并简化布局。DPAK封装的两引线和接片设计提供了良好的电气连接及散热能力，适合高功率应用。
5. 工作环境
该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），能够在极端温度条件下可靠工作，适合各种环境下的应用需求。同时，最大Vgs（±30V）保证了对栅极驱动信号的灵活性，可与多种不同控制电路兼容。
6. 总结
STD3NK100Z N沟道MOSFET凭借其高压、大电流及低功耗特性，成为现代电源设计和电动机控制领域的理想选择。其结构紧凑、工作温度宽广、导通电阻低，确保了在多种苛刻环境和应用场景中，均能提供优异的性能。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，这款MOSFET都能满足高效能和可靠性的需求。