型号:

TN815-600B-TR

品牌:ST(意法半导体)
封装:DPAK
批次:-
包装:编带
重量:0.475g
其他:
TN815-600B-TR 产品实物图片
TN815-600B-TR 一小时发货
描述:晶闸管(可控硅)/模块 40mA 600V 1个单向可控硅 1.3V TO-252-2(DPAK)
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梯度内地(含税)
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3.51
2500+
3.37
产品参数
属性参数值
可控硅类型1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)1.3V
保持电流(Ih)25mA
断态峰值电压(Vdrm)600V
门极触发电流(Igt)15mA
通态峰值电压(Vtm)1.6V
浪涌电流(Itsm@f)95A
门极平均耗散功率(PG(AV))1W
通态RMS电流(It(rms))8A
工作温度-40℃~+125℃

TN815-600B-TR 产品概述

1. 产品简介

TN815-600B-TR 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款单向可控硅(SCR),专为各种高功率控制应用而设计。此款可控硅具有良好的电气特性,适用于需要高电流和高电压的环境,如电动机控制、整流器,以及其他工业和消费电子产品。TN815-600B-TR 在电力电子设备中扮演着关键角色,能够有效控制和调节电力的流动。

2. 关键特性

  • 通态电流: TN815-600B-TR 的通态电流 (It (RMS)) 最大额定值为 8A,而通态电流 (It (AV)) 最大额定值为 5A。这确保了在高负载情况下,器件能够稳定工作而不轻易过载。

  • 断态电压: 本产品可以承受高达 600V 的断态电压 (Vdrm),使其在高压应用中具有良好的耐受性和可靠性。

  • 栅极触发特性: 栅极触发电压 (Vgt) 的最大值为 1.3V,栅极触发电流 (Igt) 的最大值为 15mA。这种低触发电压和电流特性使得 TN815-600B-TR 能够与各种控制电路兼容,实现高效的触发控制。

  • 温度范围: 此产品的工作温度范围宽广,从 -40°C 到 +125°C,确保其在苛刻环境下的稳定性。

  • 保持电流: 最大保持电流 (Ih) 为 40mA,确保在切换状态时设备能够快速而可靠地保持其状态,减少了不必要的干扰。

3. 典型应用

TN815-600B-TR 通常应用于以下领域:

  • 电力控制系统: 能够在电机启动和调速过程中提供平稳的电流控制,确保系统稳定运行。

  • 可编程控制器和自动化设备: 在工业自动化中,用于控制及管理高功率设备。

  • 整流器和逆变器: 支持直流变换和电源转换,广泛用于电力电子的整流和逆变电路。

  • 照明控制系统: 用于调节高压照明设备的电源,确保亮度可调和供电可靠。

4. 设计及封装

TN815-600B-TR 储存于 DPAK 封装(TO-252-3),该封装类型 具有良好的散热性能和紧凑的安装结构,适用于表面贴装技术,便于在自动化生产线上安装。

5. 性能优势

  • 高可靠性: 采用意法半导体先进的半导体技术,TN815-600B-TR 展现出优异的长期稳定性和可靠性,有助于客户减少维护和更换频率。

  • 简单的驱动电路: 由于其低触发电压和电流,用户在设计驱动电路时能够简化电路设计,提高了整个系统的集成度和可靠性。

  • 强抗干扰能力: 在高频嘈杂环境中仍能保持良好的性能,避免由于干扰而导致的触发失效。

6. 结论

总之,TN815-600B-TR 是一款高性能的单向可控硅,凭借其高通态电流、适应性的工作电压范围以及优越的触发特性,广泛适用于各类电力和工业应用。其坚固的封装和高工作温度范围使其成为现代电力控制系统中不可或缺的组成部分,是电力电子设计者的理想选择。选择 TN815-600B-TR,意味着您在构建设备时将获得高效、可靠和稳定的性能。