型号:

SUP85N15-21-E3

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-220-3
批次:10+
包装:管装
重量:2.725g
其他:
SUP85N15-21-E3 产品实物图片
SUP85N15-21-E3 一小时发货
描述:Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 85A; Idm: 180A
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梯度内地(含税)
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8.23
500+
7.91
产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)21mΩ@10V,30A
功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)110nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.75nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)220pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:SUP85N15-21-E3

概述

SUP85N15-21-E3 是一款由威世(VISHAY)生产的 N 通道 MOSFET(气体绝缘场效应晶体管),它采用先进的 TrenchFET® 技术,具有卓越的性能和效率。该器件专为需要高电压和电流的应用而设计,具有150V的漏源电压(Vdss)和最高可达85A的连续漏极电流(Id),使其成为功率电子、电机驱动、电源转化器等多种高性能应用领域的理想选择。

技术参数

SUP85N15-21-E3 的重要技术参数包括:

  • 漏源电压(Vdss): 150V,适用于高电压环境。
  • 连续漏极电流(Id): 85A(在 25°C 的冷却条件下),为电源设计提供强大的电流承载能力。
  • 导通电阻: 在Vgs = 10V的情况下,Rds(on) 最小值为21毫欧,确保设备在运行时具有极低的能量损耗和发热。
  • 驱动电压(Vgs): 典型驱动电压为10V,确保器件在工作时能够高效地切换。
  • Vgs(th) (最大值): 该器件的阈值电压为4V @ 250µA,如果栅极电压低于此值,器件将保持关闭状态,降低功耗。
  • 栅极电荷(Qg): 高达110nC @ 10V,提升了开关速度和效率。
  • 输入电容(Ciss): 在25V下最大值为4750pF,保证了高频应用的良好性能。
  • 功率耗散: 最高功率耗散为2.4W(在环境温度下),而在结温下可达300W,自然散热性能优良。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C,适合在极端温度条件下使用,非常适合航空航天、汽车及工业自动化领域。

封装与安装

SUP85N15-21-E3 采用 TO-220-3 封装形式,这种封装设计具有良好的散热性能,方便焊接安装的同时,可以有效地管理器件产生的热量。此外,TO-220 封装支持通孔安装方式,适合各种印刷电路板(PCB)设计。

应用领域

SUP85N15-21-E3 在多个行业中有着广泛的应用,特别适合以下领域:

  1. 电源管理: 用于开关电源、DC-DC 转换器等高效能电源解决方案。
  2. 电动机驱动: 高电流能力使其成为电动机控制和驱动应用中的理想选择。
  3. 汽车电子: 工作温度范围广和高可靠性,符合汽车应用要求。
  4. 工业控制: 在自动化设备、机器人及其他工业设备中,提供了必要的高电流和高电压解决方案。
  5. 消费电子: 在各类消费类电子产品中,作为高效能开关损耗的解决方案,大幅提升产品的竞争力。

总结

SUP85N15-21-E3 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET,结合了高电压、高电流及低导通电阻的特性,使其在许多苛刻的应用环境中成为一款可靠的解决方案。选择 SUP85N15-21-E3,不仅能够提高系统的工作效率,还能降低能耗,满足现代电子设备对高性能、低损耗的要求。该器件的技术优势和广泛适用性,使其在市场上的竞争力十分显著,适合各种高端应用场合。