STW6N120K3

产品概述：STW6N120K3

产品简介 STW6N120K3 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-247-3封装，设计用于高电压和高功率应用。凭借其1200V的漏源极电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），该器件特别适合于工业设备、开关电源、和电动机驱动等需要高效能和高可靠性的场合。

封装与结构 STW6N120K3采用TO-247封装，这是通孔安装（THT）的一种常见形式，具有良好的散热性能和机械强度，使得MOSFET在高功率应用中能够保持稳定的工作状态。TO-247的设计还允许较大的PCB接触面积，从而提高了热导效率，适应高达150W的功率损耗（绝对最大值）。

电气特性

• 漏源电压 (Vdss)：达1200V（1.2kV），使该器件能够处理高电压应用中的电气需求。
• 栅源电压 (Vgss)：耐受±30V的栅源电压，使其适用于各种栅驱动电路。
• 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境下，连续漏极电流可达6A，优异的电流承载能力保证了其高效工作。
• 输入电容 (Ciss)：在100V的工作电压下，输入电容Ciss为1050pF，确保快速开关特性并降低开关损耗。
• 导通电阻 (Rds(on))：在10V栅电压下，导通电阻最大为2.4Ω（@2.5A），增强了开关效率和热性能。

开关特性 STW6N120K3具备优良的开关特性。其栅极电荷（Qg）在10V时为34nC，这意味着该器件的开关速度快，有利于提高整个电路的工作效率，特别是在高频应用中。此外，达到最大导通电流时的栅阈值电压（Vgs(th)）为最大5V，这进一步增强了在复杂电源管理系统中的适应性。

工作环境与可靠性 该MOSET的工作温度范围广泛，从-55°C至150°C（TJ），使其在恶劣和多变的环境条件下依然能够稳定运行。由于标准的封装设计和材料，该器件在各种工业条件下表现出良好的热稳定性和机械耐久性。

应用场景 STW6N120K3适用于多种应用场景，包括：

1. 开关电源（SMPS）：在高效电源转换中，处理高电压和电流。
2. 电动机驱动：适合用于电动机的高效控制，提供可靠的功率开关。
3. 逆变器：用于将直流电转换为交流电，广泛应用于可再生能源系统如太阳能逆变器。
4. 工业控制：在复杂的工业自动化系统中，实现高可靠性的信号开关。

总结 STW6N120K3代表了现代电子行业中MOSFET技术的先进水平。凭借其高电压、高电流、紧凑的封装设计和宽广的工作温度范围，这款N沟道MOSFET适用于多种应用，能够满足对高效能和高可靠性的严苛要求。选择STW6N120K3，意味着选择了高品质、高性能和广泛适用性的电子解决方案，是设计工程师在电源管理和驱动系统中不可或缺的理想元件。