STP3NK90ZFP

STP3NK90ZFP 产品概述

产品简介

STP3NK90ZFP 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高压应用而设计。其具有额定漏源电压 900V 和连续漏极电流 3A（在 25°C 条件下），适用于电力变换器、开关电源及其他高压开关应用。该 MOSFET 的优异特性使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。

关键参数

• 漏源电压 (Vdss): 900V
• 连续漏极电流 (Id): 3A (在 25°C 时)
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 50µA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 4.8Ω @ 1.5A, 10V
• 最大功率耗散 (Pd): 25W (在 Tc 条件下)
• 驱动电压: 10V (最大 Rds On 与最小 Rds On)
• 栅极电荷 (Qg): 22.7nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss): 590pF @ 25V
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 封装类型: TO-220FP

性能优势

STP3NK90ZFP 在电源管理领域中表现优异，得益于其高稳定性和出色的电流承载能力，适配各种高要求的应用场景。漏源电压高达 900V，适合用于逆变器或其他高电压电源装置之中。该元件的漏源导通电阻为 4.8Ω，在实际应用中低功耗特性有助于提高系统效率，并保障设备的长寿命。

应用场景

该 MOSFET 广泛应用于电源转换器、LED 驱动电源、音响放大器、电机驱动模块等多个领域。在高频开关应用中，其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）特点确保了快速开关能力，从而有效降低开关损耗。而其工作温度范围 -55°C 至 150°C 使其可以在严苛环境下稳定运行。

封装与安装

STP3NK90ZFP 的封装类型为 TO-220FP，它是一种通孔封装，适合通过引脚安装于电路板上。这种封装类型不仅便于散热，且使得安装和更换都比较简便，有助于系统的维护和升级。

产品优势

1. 高电压能力: 900V的额定电压使其适用于高电压应用。
2. 高效能: 优秀的导通电阻和低功耗特性提高了系统效率，减少了热量的产生。
3. 良好的温度性能: 扩展的工作温度范围能够适应各种环境，提升了设备的可靠性。
4. 便于安装: TO-220FP 封装的设计便于与散热器配合，更好地管理热量。

总结

STP3NK90ZFP 是一款功能强大且多用途的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电压和高电流能力，适用于多种工业应用。无论是在高效转换器，还是在驱动负载中，它都能提供卓越的性能，满足现代电子设备对性能和效率的双重需求。选择 STP3NK90ZFP，将为您的设计提供坚实的基础和高效的解决方案。