型号:

STP16NF06L

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3
批次:-
包装:管装
重量:2.74g
其他:
STP16NF06L 产品实物图片
STP16NF06L 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 45W 60V 16A 1个N沟道 TO-220
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.25
100+
2.61
1000+
2.49
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@10V,8A
功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)345pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STP16NF06L 产品概述

STP16NF06L 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要特点包括优良的电气性能、单个 TO-220 封装以及宽广的工作温度范围,使其在多个电子应用领域中提供可靠的解决方案。这款 MOSFET 特别适合用于高效的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动电路。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss):本产品的最大漏源电压为 60V,适合中等电压的应用,这使其能够有效应对各类电源系统中的电压波动。
  • 连续漏极电流(Id):在 25°C 条件下,STP16NF06L 的连续漏极电流为 16A(Tc),表示在正常工作下其能够承载的电流能力相对较高,能满足大部分负载的需求。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):其栅源阈值电压为 2.5V @ 250µA,这意味着即使在较低的驱动电压下,也能够良好地控制器件的开关状态。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):在 8A 和 10V 的条件下,其漏源导通电阻为 90mΩ。这一低导通电阻特性有效降低了充放电过程中的功耗,提高了转换效率。
  • 最大功率耗散:该器件在 25°C 工作环境下的最大功率耗散为 45W(Tc),这为其长时间稳定运行提供了保障。
  • 驱动电压:在最大 Rds(on) 时,推荐驱动电压为 10V,而在最小 Rds(on) 时为 5V,这样的灵活性使得该 MOSFET 能够与多种控制电路配合使用。

物理特性与封装

STP16NF06L 采用 TO-220-3 封装,便于散热的性能设计,适应于各种通孔安装类型。这种封装能够有效实现良好的热管理,符合高功率应用的需求。同时,TO-220 封装也为用户提供了方便的焊接和安装体验。

应用场景

STP16NF06L 的广泛应用主要包括但不限于以下几个方面:

  1. 开关电源(SMPS):凭借其高效的开关特性及较低的漏源导通电阻,该 MOSFET 可以在电源转换过程中显著降低功耗,提高整体效率。
  2. DC-DC 转换器:适合用于各种 DC-DC 转换电路,STP16NF06L 可作为开关元件,满足对电流和电压的精确调节需求。
  3. 电机驱动:其高电流承载能力使得 STP16NF06L 非常适合用于电机控制领域,无论是直流电机还是步进电机驱动,都能稳定工作。
  4. 功率调节:可以应用于负载开关、电池管理系统等场合,通过 MOSFET 的快速开关响应实现对功率的精确控制。

总结

STP16NF06L 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其良好的电气特性和宽广的工作温度范围,在电力电子领域展现出极高的适应性。无论是在高频开关的应用中,还是在需要高电流承载能力的场合,它都能提供可靠而高效的解决方案。其 TO-220 封装设计不仅方便用户的使用与安装,而且能够确保器件在不同工作条件下的稳定性。针对各类应用需求,STP16NF06L 将是设计工程师们的重要选择。