型号:

STGWT60H65DFB

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-3P
批次:21+
包装:管装
重量:6.916g
其他:
STGWT60H65DFB 产品实物图片
STGWT60H65DFB 一小时发货
描述:IGBT管/模块 650V 375W FS(场截止) 80A TO-3P-3
库存数量
库存:
19
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:300
商品单价
梯度内地(含税)
1+
23.63
10+
20.37
产品参数
属性参数值
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)80A
功率(Pd)375W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2V@15V,60A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)306nC
开启延迟时间(Td(on))51ns
关断延迟时间(Td(off))160ns
导通损耗(Eon)1.09mJ
关断损耗(Eoff)0.626mJ
反向恢复时间(Trr)60ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STGWT60H65DFB 产品概述

STGWT60H65DFB是一款由意法半导体(ST Microelectronics)生产的高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),其具有650V的电压耐受极限和80A的最大集电流,专为高效能开关应用而设计。该产品以TO-3P封装形式提供,适用于要求高功率、优良热管理和快速开关特性的应用场合。

主要特性

  1. 高电压和电流承载能力: 该IGBT的集电极到发射极最大电压(Vce)为650V,极大地满足了电源转换、电动机驱动等高电压应用的需求。同时,其最大集电极电流(Ic)可达80A,而在脉冲状态下,瞬时集电极电流可高达240A,适合高负载的开关操作。

  2. 卓越的开关特性: STGWT60H65DFB展现出极快的开关速度,具体表现为开关能量分别为1.09mJ(开)和626µJ(关),以及在25°C时的开关延迟时间(Td)为51ns和160ns。这种快速的开关能力使得该IGBT在高频率应用中能够有效减少开关损耗,从而提高整体系统效率。

  3. 温度范围和热管理: 工作温度范围宽广,-55°C至175°C的工作范围使其在高温环境下仍能平稳运行。TO-3P封装设计保证了该IGBT具有优良的散热性能,适合用于要求严格的热管理的应用场合。

  4. 低状态电压损耗: 在特定条件下(如集中于400V、60A、5Ω和15V的测试条件下),该IGBT的最大导通电压(Vce(on))仅为2V,这意味着在导通状态下的电压损失较低,从而提高了系统的能效。

  5. 反向恢复特性: STGWT60H65DFB还具备优秀的反向恢复特性,其反向恢复时间(trr)仅为60ns,适合用于具有快速变化电流的应用,如高效整流。

应用场景

由于其优越的性能特征,STGWT60H65DFB广泛应用于各类功率电子设备,包括但不限于:

  • 电源转换器:在逆变器、直流-直流转换器(DC-DC)、交流-直流转换器(AC-DC)等电源应用中提供高效的开关能力。
  • 电动机驱动:在工业电动机控制中,通过高效的开关控制提升电机的效率和响应速度。
  • 医疗设备:在需要高电源效率和可靠性的医疗监测及治疗设备中使用。
  • 可再生能源:应用于太阳能逆变器和风能转换系统中,以提升系统整体的性能和可靠性。

我们的建议

选择STGWT60H65DFB作为系统设计中的IGBT时,用户需充分考虑自身应用需求,包括电压和电流的峰值,再结合具体的热管理策略,以确保最佳的工作条件。此外,设计过程中应注意IGBT的驱动电路设计,以匹配其输入要求,同时充分利用其快速开关特性。通过科学地设计电路和选择合适的元器件,用户能够达到理想的电源转换效率和系统可靠性。

总而言之,STGWT60H65DFB以其出色的电气特性和优秀的封装设计,是市场上值得信赖的高性能IGBT选项,适用于现代电力电子设备的各类应用。