STD5NK50ZT4

STD5NK50ZT4 产品概述

基本信息

STD5NK50ZT4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件在以500V的额定漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id）为基础，适用于各种高电压和高功率应用。该MOSFET采用了DPAK封装，即TO-252-3封装，专为表面贴装设计，便于在现代电子设备中集成和使用。

技术参数

• 漏源电压（Vdss）: 500V
• 连续漏极电流（Id）: 4.4A @ 25°C
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.5Ω @ 2.2A, 10V
• 最大功率耗散（Pd）: 70W @ Tc
• 驱动电压: 10V (最大 Rds On)
• 栅极电荷（Qg）: 28nC @ 10V
• 最大可承受栅源电压（Vgs(max)）: ±30V
• 输入电容（Ciss）: 535pF @ 25V
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装类型: DPAK（TO-252-3）

应用场景

STD5NK50ZT4主要应用于高压开关、电源管理和转换器、电动汽车驱动、电机控制和其他需要高效开关的电路。其优秀的参数使其非常适合用于开关电源（SMPS）、逆变器和各种功率控制应用场合。

该器件的漏源电压500V以及最大功率耗散70W确保了它能够在高负载条件下稳定工作。同时，其较低的导通电阻（Rds(on)）使得在开关过程中产生的功耗较少，从而提高了系统的整体效率。对电源的需求日益增长，尤其是在行业中推进能效标准的背景下，这款MOSFET的高效能为用户提供了更为经济的解决方案。

特性优势

STD5NK50ZT4结合了高电压支持和良好的散热能力，提供了稳定的工作性能。在高温环境下，也能维持较低的阈值电压，使其在多种工作条件下依然具备高效性能。这种特性使得它在可靠性要求高的工业生产过程中广受欢迎。

• 高电压兼容性: 适用于高电压应用，确保工艺所需的电压范畴。
• 低导通电阻: 使得在导通状态下，发热量降低，系统运行更加高效。
• 宽工作温度范围: 确保设备在极端温度条件下依然能够稳定工作，增大了应用范围。

结论

综上所述，STD5NK50ZT4是一款在500V高压环境下能保持良好导电性能的N沟道MOSFET，兼具稳健的功能和高效的热管理，非常适合电动汽车、开关电源、工业控制等用户需求。凭借其强大的技术规格，STD5NK50ZT4帮助设计工程师实现高效、可靠的电源解决方案，是电子设备开发不可或缺的重要元器件。通过利用其独特优势，用户可确保系统性能与效率之间的最佳平衡。