描述：表面贴装型-N-通道-30V-70A（Tc）-100W（Tc）-D2PAK
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.75
50+
1.34
产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）30nC @ 5V
Vgs（最大值）±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1440pF @ 25V
功率耗散（最大值）100W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装D2PAK
STB70NF03LT4 产品概述
STB70NF03LT4 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，具有出色的电气特性和热性能，专为各种高效能电子应用设计。该组件在现代电源管理系统、开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域均可发挥重大作用。
1. 关键参数
STB70NF03LT4 MOSFET的主要技术规格包括：
- 封装类型：TO-263-3、D²Pak，这种表面贴装封装便于实现高密度布置及散热，适用于现代小型化电子设备。
- 漏源极电压（Vdss）：30V，适合大多数低电压应用。
- 连续漏极电流（Id）：70A（在25°C时的最高额定值），使其能够承受高电流负载，同时能有效减少因过热导致的失败风险。
- 功率耗散（最大值）：100W，这意味着该组件在高负荷运转时仍能保持稳定。
- 工作温度范围：-55°C到175°C，允许其在非常严苛的条件下运行，使其适用于汽车及工业等环境。
2. 电气特性
STB70NF03LT4的电气性能极为出色，具体表现在以下几个方面：
- Rds(on)：在Vgs为10V，Id为35A时，导通电阻的最大值为9.5mΩ。这意味着该MOSFET在工作时能够实现极低的功率损耗，提高整体效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为1V（@250µA），指明了该器件的开关特性，能够在较低的栅极驱动电压下开始导通，适合低电压控制逻辑。
- 栅极电荷（Qg）：在5V的栅极驱动下达到最大值30nC，这对于开关速度和效率至关重要，尤其是在高频应用中。
3. 应用领域
得益于其优越的性能，STB70NF03LT4在多个领域中广泛应用：
- 电源管理：在开关电源和DC-DC转换器中，作为开关元件，以其低导通电阻和高电流处理能力，大幅提升电能转化效率。
- 电机驱动：在直流电机和无刷电机的驱动电路中作为功率开关，能够有效实现电机的调速和保护。
- 汽车电子：由于其大范围的工作温度及高电流承载能力，STB70NF03LT4适合在汽车的传感器、电动窗、座椅调节器等关键应用中使用。
4. 散热与可靠性设计
由于STB70NF03LT4的高功率耗散能力，设计时考虑有效的散热方案尤为关键。在电路板的布局中，设计师应确保该元件周围有足够的散热面积，并使用热导材料以提升散热效率。此外，考虑到工作环境，选择能够满足可靠性要求的电路设计至关重要。
5. 总结
STB70NF03LT4作为一款高效能的N沟道MOSFET，其优秀的电气性能和出色的热管理特性使其成为现代电子设备的重要组成部分。其适用范围广泛，能够满足高电流和低电压应用的需求，是设计工程师在选择功率开关元件时的理想选择。通过合理的电路设计与散热管理，STB70NF03LT4能够在各种苛刻应用中保持稳定和高效的运行。