描述：场效应管(MOSFET) STB6NK60Z-1 TO-262-3
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）600V
安装类型通孔(THT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.2 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）46nC @ 10V
Vgs（最大值）30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）905pF @ 25V
功率耗散（最大值）110W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装I2PAK
STB6NK60Z-1 产品概述
概述
STB6NK60Z-1是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），在多个高电压和高频率的电子应用中被广泛应用。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有600V的漏源极电压，是一款在中等功率电路中表现出色的开关元件。STB6NK60Z-1的封装形式为TO-262-3，适用于通孔安装（THT），其长引线设计方便了元器件的布局与焊接。
关键参数
- 漏源极电压（Vdss）：最大工作电压为600V，适合于高电压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度条件下，连续漏极电流可达6A，适用于多种负载条件。
- 导通电阻（Rds(on)）：在不同的电流和栅压条件下，该元器件的最大导通电阻为1.2Ω @ 3A和10V，表明在开关状态下具有较低的功耗表现。
- 栅极驱动电压（Vgs）：该MOSFET的栅极电压最大值为30V，驱动效率高。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在100µA的漏电流条件下，最大阈值电压为4.5V，适合于低功率驱动需求。
- 栅极电荷（Qg）：在10V栅驱动下，栅极电荷最大值为46nC，可支持高速开关。
- 输入电容：在25V条件下，输入电容最大为905pF，这对于高频开关电路是一个重要参数。
- 功率耗散：最大功率耗散为110W，适合于大功率应用。
工作温度范围
STB6NK60Z-1工作的温度范围为-55°C到150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适用各种工业应用和汽车电子产品。
应用场景
STB6NK60Z-1的设计使其非常适合于以下应用场景：
- 开关电源：可以在电源转换和电压调节中高效切换，减少能量损失。
- 电机驱动：在电机控制电路中，作为开关元件，具备快速开关特性和低导通损耗。
- 高频应用：由于其较小的输入电容和低栅极电荷，能够支持高频开关操作。
- 功率管理：在各种功率管理方案中，提供高效的电流控制。
结语
STB6NK60Z-1是一款集高电压、高电流和低功耗于一体的MOSFET，凭借其优秀的电性能和广泛的适用性，在现代电子产品中展现出极大的价值。无论是工业控制、开关电源，还是电机驱动，STB6NK60Z-1都是理想的选择，可以助力设计工程师实现更高效和更可靠的电路设计。因此，选择STB6NK60Z-1将为用户提供增强的设计灵活性与良好的电气性能，是提升产品竞争力的关键因素。