描述：表面贴装型-N-通道-500V-4.4A（Tc）-70W（Tc）-D2PAK
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）500V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）500V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）28nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）535pF @ 25V
功率耗散（最大值）70W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装D2PAK
STB5NK50ZT4 产品概述
STB5NK50ZT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道 MOSFET，专为高压应用而设计。其优异的电气性能和可靠的封装形式使其适用于各种电源管理和电力转换系统，尤其是在要求高电压、大电流和高效率的场合。
1. 基本参数
STB5NK50ZT4 采用 D₂PAK 封装形式，具有出色的热管理特性和较小的占板面积。该器件的关键电气参数包括：
- 漏源极电压 (Vdss): 500V，这意味着该 MOSFET 可承受高达 500V 的漏极至源极电压，适合于高压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 25°C 时为 4.4A，这体现了在典型工作环境下，器件可以稳定地传输电流。
- 功率耗散 (Pd): 最大为 70W，这表明该器件能够在相对较高的功率下工作而不至于过热。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)，使其能够在极端环境下可靠工作，适合汽车、工业等要求高环境耐受性的应用。
2. 导通电阻与栅极性能
STB5NK50ZT4 具有出色的低导通电阻 (Rds On)，在 Vgs 为 10V 时，1.5Ω 的导通电阻在 2.2A 电流下表现良好，有助于减少功耗和提升整体效率。此外，栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 4.5V @ 50µA，确保MOSFET能够在较低的栅极驱动电压下快速导通，优化开关速度。
栅极电荷 (Qg) 的最大值为 28nC @ 10V，这显示了器件在开关时所需的驱动能量，较低的 Qg 值意味着该器件能实现快速开关，这对于提升高频应用的性能至关重要。
3. 应用领域
STB5NK50ZT4 是一种非常适合于以下应用的元器件：
- 开关电源 (SMPS): 能够处理复杂的电力转换任务，保证高效能量传递。
- 直流-直流转换器: 在这些场合中，MOSFET 需要处理快速开关和高电流负载，STB5NK50ZT4 在这些应用中提供了优越的电气性能。
- 电机驱动: 此器件的高压和高电流能力使其在电机控制领域非常受欢迎，尤其是在工业自动化和汽车应用中。
- 照明控制: 作为LED驱动和其他照明控制设备的关键部件，该MOSFET的高效性能有助于实现能源节约。
4. 总结
STB5NK50ZT4 是一种高效、可靠的 N 通道 MOSFET，具有显著的高电压耐受能力和良好的电流承载能力。它的低导通电阻和快速的开关能力使其成为现代电源管理及电力转换系统的重要组成部分。
无论是在家电、工业设备还是汽车电子方面，STB5NK50ZT4 都展示了其优良的适应性和性能表现，使其成为设计工程师在高电压和高效率应用中的理想选择。选择 STB5NK50ZT4，您将能有效提升系统的整体验证效率与稳定性。