描述：场效应管(MOSFET) 6.25W；104W 80V 60A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)23.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5mΩ@10V,20A
功率(Pd)6.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@7.5V
输入电容(Ciss@Vds)2.8nF@40V
反向传输电容(Crss@Vds)93pF@40V
工作温度-55℃~+150℃
SIR826ADP-T1-GE3 产品概述
概述
SIR826ADP-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具有出色的电气特性及广泛的应用潜力。该器件由著名的半导体制造商 VISHAY（威世）生产，专为需要高效率和高电流处理能力的电子设备设计。SIR826ADP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，适合各种表面贴装应用。
关键特性
漏源电压（Vdss）: 80V
- 该指标使 SIR826ADP-T1-GE3 能够在较高电压环境下稳定工作，适合电源管理、DC-DC 转换器及电机驱动等多种应用场景。
连续漏极电流（Id）: 60A (Tc=25°C)
- 此并行与高电流承受能力，使得该产品在高负荷条件下也不会过热，确保其安全性与稳定性。
导通电阻（Rds On）: 5.5mΩ @ 20A, 10V
- 低导通电阻意味着在工作过程中能有效降低功耗，提升转换效率，并减少发热。
栅源极阈值电压: 2.8V @ 250µA
- 该参数表明在较低电压下就能够有效控制 MOSFET 的开关状态，适合各种低电压驱动环境。
最高功率耗散: 6.25W (Ta = 25°C), 104W (Tc)
- 强大的功率处理能力确保该器件在高温环境下也能稳定运行，适应多样化的使用场景。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 大范围的工作温度使其适用于汽车、工业及航天等极端环境中的可靠性需求。
栅极电荷（Qg）: 86nC @ 10V
- 适中的栅极电荷有助于提升开关速度，适合要求快速启动及关断的电源转换应用。
输入电容（Ciss）: 2800pF @ 40V
- 输入电容值确保了在设备切换期间的稳定性和高效能，可广泛应用于高频率电路。
应用领域
SIR826ADP-T1-GE3 适用的领域包括但不限于:
- DC-DC 转换器: 理想用于电源模块中的功率开关，有效提升能量转换效率。
- 电池管理系统: 在电池各个管理环节中，可以实现高效的能量切换与控制。
- 电动机驱动: 适合用于驱动各类电动机，提供高效的控制与高电流支持。
- 汽车电子: 具备高温工作特性，适合在汽车电子系统中的关键部件。
- 消费电子产品: 在电视、电脑及其他电子设备中的电源管理与控制。
封装与安装
SIR826ADP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，其设计具备优异的散热性能与紧凑的外形，适合空间受限的应用。同时，该器件的表面贴装类型便于在自动化生产线上快速、大规模的植入，提升生产效率。
结论
作为一款兼具高性能与可靠性的 N 沟道 MOSFET，SIR826ADP-T1-GE3 在电源管理和高电流应用中表现出色，符合现代电子偏好高效率、灵活兼容的技术要求。随着电源效率和设备小型化的持续推进，选择合适的 MOSFET 器件如 SIR826ADP-T1-GE3，将极大提升系统的整体性能与稳定性。