SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3 产品概述

概述

SI7113DN-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，由知名的电子元器件供应商Vishay（威世）制造，旨在满足各种电力电子应用的需求。该器件采用现代化的PowerPAK® 1212-8封装，具有优异的导电特性和热管理能力，适合在各种严苛环境下工作。

主要参数

SI7113DN-T1-GE3的基本电气参数如下：

• 漏源电压（Vdss）: 100V，适应高压应用。
• 连续漏极电流（Id）: 13.2A（在25°C时），为现代电路设计提供了良好的电流承载能力。
• 栅源极阈值电压: 3V @ 250µA，确保在较低电压下即可达到导通状态。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 134mΩ @ 4A, 10V，表现出色的导通性能，有助于降低功耗。
• 最大功率耗散: 3.7W（Ta=25°C），在高温条件下的功率管理能力为其广泛应用提供了保障。
• 工作温度范围: -50°C ~ 150°C（TJ），使其能够在各种极端环境中可靠工作。

应用场景

SI7113DN-T1-GE3适用于多个领域，包括但不限于：

• 电源管理：在电源转换器和电源开关中提供高效的能量传递和控制。
• 电动机驱动：作为电动机控制的开关元件，能够承担起高电流和高电压的工作。
• 电池管理系统：在电池充电和放电过程中的高效率切换，以提高能量利用率。
• LED驱动：用于LED照明驱动，可以有效控制电流和电压，提高亮度和延长寿命。

性能优势

1. 降低功耗: SI7113DN-T1-GE3的低导通电阻和高电流承载能力使其在运行时产生的热量相对较少，从而降低功耗，并提高系统的整体效率。
2. 高温工作能力: 该MOSFET能够在宽广的工作温度范围内稳定运行，非常适合在高温或冷却能力有限的环境中使用。
3. 良好的热管理: PowerPAK® 1212-8封装设计允许更好的热 dissipation，确保器件在长时间负载下的稳定性。
4. 易于驱动: 该器件的阈值电压和栅极电荷特性使得它容易与各种驱动电路相兼容，为设计师提供了灵活性。

结论

SI7113DN-T1-GE3是一款功能强大且高效的P沟道MOSFET，适用于需要高电压和高电流的各种应用。其出色的电流导通能力、良好的热管理和宽广的操作温度范围使其在电力管理、电动机控制和LED驱动等领域得到广泛认可。Vishay作为该产品的制造商，凭借其可靠性和高质量的生产标准，为客户提供了一种出色的选择。无论是设计新产品还是优化现有系统，SI7113DN-T1-GE3都能为用户提供良好的性能和经济效益。