描述：表面贴装型 P 通道 20 V 3.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET™
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.382
200+
0.246
1500+
0.215
产品参数
属性参数值
封装/外壳8-SMD，扁平引线
FET类型P沟道
漏源极电压（Vdss）20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）55 毫欧 @ 3.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）22nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
功率耗散（最大值）1.3W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装1206-8 ChipFET™
SI5441DC-T1-E3 产品概述
SI5441DC-T1-E3是一款由威世（VISHAY）制造的高性能表面贴装型P沟道MOSFET，封装类型为1206-8 ChipFET™，专为低电压和中等电流应用而设计。该器件的主要特点包括其较低的导通电阻、宽广的工作温度范围、以及高达1.3W的功率耗散能力。这些特性使其成为各种电子电路设计中不可或缺的元器件。
基本参数
- 封装/外壳：该MOSFET采用8-SMD扁平引线封装，便于表面贴装，适合现代电子设备小型化的需求。
- FET类型：作为P沟道MOSFET，它具有良好的开关特性，适用于低侧开关应用。
- 漏源极电压（Vdss）：其漏源极电压为20V，这使得SI5441DC-T1-E3适合于低电压驱动的应用场景。
- 连续漏极电流：在25°C的环境温度下，其连续漏极电流可达到3.9A，提供稳定的电流输出。
- 功率耗散：器件的最大功率耗散为1.3W，可以在不同负载条件下保持稳定运行。
电气特性
- 导通电阻（Rds On）：在4.5V Vgs驱动电压下，最大导通电阻为55毫欧，确保低功耗和高效率的电源转换。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的条件下，其阈值电压最大为1.4V，提供良好的性能一致性和可控性。
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V的Vgs下，栅极电荷最大为22nC，利于提高开关频率并降低开关损耗。
温度和可靠性
- 工作温度范围：SI5441DC-T1-E3可以在-55°C至150°C的广泛温度范围内正常工作，适用于多种环境条件，尤其是汽车和工业等对温度变化敏感的应用。
- Vgs（最大值）：器件的最大栅极源极电压为±12V，提供了设计灵活性，有利于不同电路的兼容性。
应用领域
SI5441DC-T1-E3广泛应用于各种需要低侧开关的场合，例如：
- 电源管理：在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高效的开关控制，降低能量损失。
- 汽车电子：其优异的温度特性使其成为汽车电子系统的重要组成部分，能够承受恶劣环境。
- 工业设备：在控制模块和驱动电路中应用，提供高效且可靠的电流控制。
- 消费电子：可用于照明控制、传感器电路和小型电机驱动等应用。
总结
SI5441DC-T1-E3是一款具有低导通电阻、高功率耗散能力以及宽广工作温度范围的P沟道MOSFET，适合多种表面贴装应用。其卓越的电气特性和可靠性使之在电源管理、汽车电子、工业设备和消费电子等领域得到了广泛的应用。凭借威世品牌的技术支持，设计工程师可以放心地将其整合到各类电子产品中，满足市场对高效能和高可靠性的严格要求。