SI2307BDS-T1-E3

产品概述：SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3是一款先进的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由VISHAY（威世）品牌制造，采用了紧凑型SOT-23-3（TO-236）封装。该器件为电子产品提供了高效的开关控制，适用于各种低功耗应用场合，如便携式电子设备、功率管理与转换模块等。

关键参数

SI2307BDS-T1-E3的主要性能参数体现在其电气特性与热性能上：

• 漏源电压 (Vdss)：该器件的耐压能力为30V，这意味着它可以安全地操作于低至30V的直流电压环境中。
• 连续漏极电流 (Id)：在25°C的环境温度下，SI2307BDS-T1-E3能够承受的最大连续漏极电流为2.5A，适用于需要中等电流处理能力的应用场景。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：该器件的阈值电压为3V @ 250µA，确保在轻负载情况下也能够有效开启。
• 漏源导通电阻 (Rds(on))：在10V的栅源电压下，SI2307BDS-T1-E3的导通电阻为78mΩ @ 3.2A，这一特性使得其在导通时表现出极低的电阻值，降低了功耗和发热。

功能特点

SI2307BDS-T1-E3具有多种优越的特性，适合广泛的应用：

• 高效驱动能力：支持4.5V和10V的驱动电压，使其能够在多种系统中灵活运用。其在不同Id和Vgs条件下的导通电阻性能卓越，有助于提高整体能效。
• 小型封装：SOT-23-3（TO-236）封装设计提供了紧凑的尺寸，适合高集成度电路设计，对空间有限的印刷电路板（PCB）应用尤为合适。
• 优良的热特性：该器件在工作环境温度高达150°C的情况下仍可稳定工作，适用于高温环境中的电子设备。其最大功率耗散能力为750mW（Ta=25°C），确保高效转化与散热性能。
• 电容特性：具有380pF @ 15V的输入电容（Ciss），使其在高频应用中表现出良好的信号响应能力，确保快速开关操作。

应用场景

由于其可靠的性能和小巧的封装，SI2307BDS-T1-E3被广泛应用于如下领域：

1. 电源管理：可作为电源开关控制，帮助提高电源效率，降低系统的能耗。
2. 便携式设备：适合便携设备的开关控制，如手机、平板及其他多媒体设备中的电源开关。
3. LED驱动：可用作LED照明系统中的驱动开关，支持高效的亮度控制。
4. 机器人技术：在一些小型机器人或无人机中使用，帮助其更好地控制电机和传感器。

结论

SI2307BDS-T1-E3是一款高性能的P沟道MOSFET，结合了优越的电气属性和良好的热特性，非常适合现代电子设计需求。无论是用于电源管理还是其他低功耗应用，它都能提供稳定的性能支持。通过选用SI2307BDS-T1-E3，设计人员可以确保在许多不同的应用中实现高效能和可靠性。VISHAY品牌的品质保证和该器件的先进设计，使其成为电子行业中的理想选择。