SI2306BDS-T1-E3

产品概述：SI2306BDS-T1-E3

1. 基本信息

SI2306BDS-T1-E3 是由知名电子组件制造商 VISHAY（威世）推出的一款 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其结构封装为 SOT-23-3（TO-236），专门设计用于各种低电压和中功率应用。该器件在为用户提供高效能的同时，还具备优异的热管理性能和可靠的开关效率，成为现代电子电路中的重要选择。

2. 电气特性

SI2306BDS-T1-E3 的主要电气参数包括：

• 漏源极电压（Vdss）：最高可承受30V的漏源极电压，使其能够满足大部分电源管理及开关应用的需求。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，器件的最大连续漏极电流为3.16A，满足大多数消费电子产品和工业设备的使用需求。
• 栅源电压（Vgss）：器件允许的栅源电压范围为±20V，提供了设计灵活性。
• 功率耗散（Pd）：器件的最大功率耗散为750mW，确保在应用中的热管理，避免过热和性能下降。
• 输入电容（Ciss）：在15V时，最大输入电容值为305pF，表现出了良好的开关特性。

3. 开关特性

SI2306BDS-T1-E3 具备非常低的导通电阻，最大值可低至47毫欧（在3.5A，10V的条件下），这使得器件在运行时能有效且低损耗地传导电流，减少了功耗及热量生成，提升了系统的整体效率。

此外，门极电荷（Qg）在5V时的最大值为4.5nC，确保器件的快速开启与关闭，非常适合于高频开关应用。结合极低的开关损耗，SI2306BDS-T1-E3成为了需求快速开关性能电子线路的理想选择。

4. 工作温度范围

该款MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适合于严苛环境下的应用，如汽车电子、工业控制和航空航天设备等。

5. 应用领域

SI2306BDS-T1-E3广泛应用于以下几种场合：

• 电源管理：适用于DC-DC转换器、蓄电池充电器等电源管理电路。
• 电机控制：在电机驱动及调节电流的应用中表现出色。
• 负载开关：用于低功率开关和控制电路，能够有效管理电流的导通与关断。
• 保护电路：在短路保护或过流保护电路中使用，以确保电路的安全。

6. 设计便利性与产业支持

如同威世的其它产品系列，SI2306BDS-T1-E3可通过成熟的电子元件分销渠道获得，并且得到了广泛的厂家支持。许多在线设计资源和应用笔记可以帮助工程师更好地利用这款 MOSFET，更快地实现设计并投入生产。

7. 总结

SI2306BDS-T1-E3 是一款功能强大、性能优越的 N 通道 MOSFET，适合各种要求快速开关和高导性能的电子设计。凭借其高耐压、低导通电阻及宽工作温度范围，SI2306BDS-T1-E3 在现代电子产品中，该产品充分体现了半导体技术的进步，满足高效能和环保的设计需求，是工程师们的理想选择。