型号:

PMBTA56,215

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.024g
其他:
PMBTA56,215 产品实物图片
PMBTA56,215 一小时发货
描述:三极管(BJT) 250mW 80V 500mA PNP SOT-23
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.113
3000+
0.0899
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,10mA
工作温度-65℃~+150℃

PMBTA56,215 产品概述

一、产品简介

PMBTA56,215 是一款由安世(Nexperia)公司生产的高性能PNP型双极晶体管(BJT),专为多种电子应用而设计。此元件采用紧凑的SOT-23-3封装,适合表面贴装类型,能够满足现代电子设备对空间小型化和高效能的需求。PMBTA56,215 的额定功率为250mW,适合用于控制电流和放大信号,非常适合用在高频通信、开关电源、驱动电路以及各类信号处理应用中。

二、主要参数

  1. 额定功率:250mW

    • 该产品能够持续承受250毫瓦的功率输出,使其在各种应用中具备良好的耐用性和稳定性。
  2. 集电极电流 (Ic):最大500mA

    • PMBTA56,215 能够处理高达500毫安的集电极电流,适合驱动中等功耗的负载。
  3. 集射极击穿电压 (Vce):最大80V

    • 此晶体管的集射极击穿电压可达80伏,确保在高电压应用中的安全性。
  4. 饱和压降 (Vce(sat))

    • 在不同的基极电流 (Ib) 下,该晶体管在集电极电流 (Ic) 为10mA及100mA时,饱和压降分别最大为250mV,这有助于提高功率效率,降低功耗。
  5. 集电极截止电流 (ICBO):最大50nA

    • 低的集电极截止电流对于电路的功耗和信号干扰控制非常重要。
  6. 直流电流增益 (hFE):最小100 @ 100mA, 1V

    • 高达100的直流电流增益表示其在放大应用中的良好性能,可确保信号的有效放大。
  7. 工作频率:最高50MHz

    • PMBTA56,215的跃迁频率为50MHz,适合用于高频信号处理。
  8. 工作温度:可最高达到150°C (TJ)

    • 高温工作范围使其能够在恶劣环境下可靠工作。
  9. 封装类型:SOT-23-3

    • 该产品采用流行的SOT-23-3封装,便于自动化贴装和焊接,降低了生产成本。

三、应用领域

PMBTA56,215 在多种电子应用中表现卓越,主要包括:

  • 开关电源:在电源供应单位中担任开关角色,有效控制功率的通断。

  • 信号放大:在音频、无线电及其他信号处理电路中用作信号放大器。

  • 负载驱动:能够驱动电机、继电器和其他负载,适用于电路保护和控制功能。

  • 线性放大器:适合用于线性放大应用,如传感器信号调理。

四、总结

PMBTA56,215 是一款出色的PNP类型晶体管,凭借其高性能的电气参数、耐高温特性及小巧的封装形式,能够广泛应用于现代电子设备中。无论是在信号处理、功率控制还是开关电源领域,PMBTA56,215 都展现出灵活性和可靠性,为设计师提供了有效的解决方案。通过选择此款晶体管,客户可以在性能与效率之间取得良好的平衡,提升整体电路的性能与可靠性。