STGP7NC60HD是一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),由意法半导体(STMicroelectronics)制造,专为高电压和高电流应用而设计。IGBT是一种能够有效合成MOSFET和BJT两种器件特点的功率器件,广泛应用于电源转换、工业驱动、高频应用以及可再生能源系统等领域。
集电极电流(Ic)和脉冲电流(Icm): STGP7NC60HD的最大集电极电流为25A,而脉冲电流则高达50A,这意味着该器件可以处理高负载,并适应突发电流需求,提升了其在高功率应用中的适用性。
电压特性: 该IGBT的最大集射极击穿电压为600V,足以满足大部分工业应用的电压要求。此外,其在15V的栅极电压下,7A的集电极电流时具有低导通压降(Vce(on))为2.5V,显示出较好的效率。
栅极阈值电压(VGE(th)): STGP7NC60HD的栅极阈值电压为5.75V @ 250μA,适合标准栅极驱动电路,以增强整个驱动系统的灵活性。
开关特性: 该器件在开关过程中的能量消耗为95µJ(开)和115µJ(关),具有较低的开关损耗,有助于提高整体效率。其关断延迟时间(Td)在25°C时为72ns,开通延迟时间为18.5ns,适用于高频率开关应用。
反向恢复时间: 在开关过程中,STGP7NC60HD的反向恢复时间(trr)为37ns,表明其在高频开关条件下的性能良好,降低了开关噪声,提升了系统的可靠性。
工作温度范围: 该IGBT的工作温度范围为-55°C到150°C,适合各种环境条件下的应用,尤其是在高温环境中表现出色。
封装和安装类型: STGP7NC60HD采用TO-220AB封装,适合通孔安装,便于散热和电路布局,广泛应用于电源模块和功率变换器等领域。
STGP7NC60HD凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于诸如:
STGP7NC60HD作为一款性能卓越的IGBT器件,凭借其优良的电气特性、宽广的工作温度范围以及适应高功率应用的能力,成为多个领域的理想组件。无论是用于高效电源转换、工业电机控制,还是可再生能源的应用,该产品均展现了其在行业中的突出的竞争力。选择STGP7NC60HD,不仅能够提升系统的性能,同时也为设计师提供了更大的灵活性和更高的可靠性。