STF18N60M2

STF18N60M2 产品概述

概述

STF18N60M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用 N 通道配置。此款 MOSFET 以其优秀的漏源电压、连续漏极电流和低导通电阻，广泛应用于高压电源转换、电动机驱动和开关电源等各类电力电子设备中。STF18N60M2 的设计旨在满足高效率和高可靠性需求，并支持苛刻的工作环境。

关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 600V

  • 这使其适用于高电压应用，能够有效的承载高达 600V 的电压。

• 连续漏极电流（Id）: 13A（在 25°C 时）

  • 该参数表明其能承受的最大电流，使其非常适合需要较高电流的应用场合。

• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 约4V @ 250µA

  • 确保MOSFET在较低的电压下能顺利导通，提高了在驱动电路中使用的灵活性。

• 导通电阻（Rds(on)）: 280mΩ @ 6.5A, 10V

  • 低导通电阻意味着更少的功耗和热量产生，提高了整体能效。

• 功率耗散（Pd）: 25W（在 25°C 时）

  • 较高的功率耗散能力使其能够在较高功率的工作条件下稳定运行。

• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 宽广的工作温度范围适合各种严苛的环境条件，确保了元件在极端条件下的可靠性。

• 栅极电荷（Qg）: 21.5nC @ 10V

  • 较小的栅极电荷使此器件能实现更快速的开关，增强了系统的响应能力。

• 封装类型: TO-220

  • 这种封装提供良好的散热性能和易于安装的特性，适合于各种 PCB 打印电路板中使用。

应用领域

STF18N60M2 MOSFET 由于其出色的电性能，广泛应用于以下领域：

1. 开关电源：其高漏源电压和连续漏极电流使其能在开关电源中高效传输电力，减少能量损耗。
2. 电动机驱动：在电机控制模块中，凭借极低的导通电阻，增强了电机的启动和效率。
3. 功率放大器：可用于各种功率放大电路，确保系统稳定且高效地运行。
4. 电池管理系统：适用于电池的充电和保护电路，确保安全和效能。
5. 便携式电子设备：其优良的电流承载能力和小巧的封装，使其适合于需要高效能的小型设备中。

结论

STF18N60M2 MOSFET 作为一款高性能的 N 通道场效应管，凭借其可靠的性能参数和多元化的应用范围，成为现代电子设计中的重要元件。无论是在电源管理、工业自动化还是消费电子产品中，该产品均展现出极高的实用价值和市场竞争力，使其成为工程师和设计师的理想选择。选择 STF18N60M2，可以帮助用户在开发和设计过程中有效实现高效、经济和可靠的电力解决方案。