描述：表面贴装型-N-通道-30V-80A（Tc）-70W（Tc）-DPAK
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14nC @ 5V
Vgs（最大值）±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1850pF @ 25V
功率耗散（最大值）70W（Tc）
工作温度175°C（TJ）
供应商器件封装DPAK
产品概述：STD85N3LH5 N-通道 MOSFET
一、基本信息
STD85N3LH5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其主要特征为高效能的开关能力和高电流处理能力。这款元器件在封装形式上采用TO-252-3（即DPAK），具有良好的散热性能和体积小巧的优势，方便在表面贴装(SMT)的应用环境中使用。
二、产品特性
封装与结构
- STD85N3LH5采用DPAK封装，具有2引线和接片设计，适合表面贴装。这种封装形式不仅能有效简化PCB布局，还能降低板上空间的占用。
电气参数
- 漏源极电压（Vdss）: 30V，适用于低至中等电压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 80A（在85°C的热条件下），能够满足高电流负载的需求。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅源电压下，导通电阻最高可达5毫欧，在40A的漏极电流下，显示出极低的功耗特性。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.5V @ 250µA，确保MOSFET在较低电压下即可启动，有利于降低控制电压的要求。
- 栅极电荷（Qg）: 在5V时，最大为14nC，表示该器件在工作中的开关响应速度。
- 工作温度: 该元器件能够在高达175°C的环境中稳定工作，适合高温应用。
功率管理
- 功率耗散（Pd）: 最大可达70W（在Tc条件下），为高功率应用提供了便利。
- 适应性强，可以在各种条件下表现出良好的热特性和电气性能，确保其在实际应用中的可靠性和稳定性。
三、应用场景
STD85N3LH5广泛应用于多个领域，特别是在需要高电流、高效率和高温环境下的场合。具体应用包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源、DC-DC转换器等设备中，作为高效的开关元件。
- 电机控制: 在电动机驱动模块中，作为功率放大器，以实现精确的电机控制。
- 电池管理系统: 在电池充电和放电管理中，帮助提高整体能量效率。
- LED驱动: 在高功率LED驱动电路中，用于实现有效的电流控制和温度管理。
四、市场竞争力
STD85N3LH5凭借其低导通电阻、宽工作温度范围、高电流响应和良好的散热性能，具备了显著的市场竞争力。与其他同类产品相比，它能够在更高的电流和温度下工作，同时保持低的功耗和高的开关速率，适合先进的工业及消费类电子产品。
五、总结
总的来说，STD85N3LH5是一款高效能、高负载能力的N通道MOSFET，凭借其优越的电气特性和广泛的应用场景，使其成为工程师和设计师在进行电源管理、电机控制及其他高功率应用时的重要选择。通过采用DPAK封装，该元器件不仅提供了出色的热管理，还确保了在现代电子产品设计中的兼容性和可靠性。