描述：场效应管(MOSFET) 85W 650V 9A 1个N沟道 TO-252
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商品单价
梯度内地(含税)
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100+
3.89
1250+
3.54
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)644pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)2.5pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
STD11N65M5 产品概述
一、产品简介
STD11N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能 N 沟道 MOSFET。该器件的主要特性包括：650V 的漏源电压（Vdss）、9A 的连续漏极电流（Id）、以及高达 85W 的功率耗散能力，适用于需要高电压和高功率处理的各种应用场景。其独特设计使其具备良好的导通电阻和高效的开关特性，成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。
二、重要参数
漏源电压（Vdss）: 650V
- 此参数指此 MOSFET 能够承受的最大电压，650V 的额定值使其适用于高电压电源、电机驱动及逆变器等应用。
连续漏极电流（Id）: 9A (Tc = 25°C)
- 在环境温度 25°C 时，设备能够持续承载的漏极电流为 9A，表明其在高负载条件下的可靠性。
栅源极阈值电压: 5V @ 250uA
- 此参数表明 MOSFET 开始导通所需的最低栅电压，为电路设计提供了灵活性。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 480mΩ @ 4.5A, 10V
- 低导通电阻有助于减少功耗，提升工作效率，使其特别适合用于开关电源和电机控制等高效应用。
最大功率耗散: 85W (Tc)
- 该器件的功率能力使其在多个领域的重载应用中都能表现出色。
工作温度范围: 150°C (TJ)
- 提高了器件的工作环境适应能力，使其在高温环境下依旧能够稳定工作。
安装类型: 表面贴装型 (SMD)
- TO-252 封装（DPAK）适合在现代电路板上节省空间，且提供了良好的散热性能。
三、应用领域
STD11N65M5 的特性使其广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源（SMPS）：在各种电源转换应用中，MOSFET 的快速开关特性和低损耗特性至关重要。
电机驱动：MOSFET 可用于控制直流电机及步进电机的驱动电路，提供高效能以及精确控制。
逆变器：该器件可用于光伏发电系统和UPS（不间断电源）中的逆变电路，实现高效能直流转交流的转换。
自动化及控制系统：在工业自动化设备和控制系统中，STD11N65M5 能够高效实现开关控制及功率管理。
四、结论
综上所述，STD11N65M5 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，凭借其650V 的高电压、9A 的高电流和85W 的高功率能力，成为现代电子设计中的理想元器件。意法半导体的先进制造技术及优质的产品性能，使得本器件在开关电源、电机驱动及逆变器等领域具有广泛而重要的应用前景。选择 STD11N65M5，意味着选择了高效、可靠的电源管理解决方案。