STD100NH03LT4

STD100NH03LT4 产品概述

1. 产品简介

STD100NH03LT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的 N 型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），采用 TO-252-3（DPAK）封装。它专为需要高电流和高开关速度的应用而设计，展现出优异的性能和效率，特别适合电源管理、开关电源（SMPS）、马达控制以及其他功率转换和驱动应用。

2. 封装与安装

STD100NH03LT4 采用了广泛应用于表面贴装技术的 DPAK 封装形式。该封装形式不仅促进了电路板空间的节省，而且在散热方面表现良好，能够有效地处理高达 100W 的功率耗散。这种封装设计使得元件在紧凑型电子产品中的应用更加灵活。

3. 关键电气参数

STD100NH03LT4 的关键电气参数如下：

• 漏源极电压（Vds）：最大30V，使其适合低压至中等电压的应用场合。
• 连续漏电流（Id）：在25°C 的情况下，该器件支持最大60A 的连续电流，非常适用于高负载条件。
• 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs = 10V 和 Id = 30A 时，Rds(on) 仅为5.5 毫欧，这保证了在导通状态下的低能量损耗，提高整体系统的效率。

通过适当的栅极驱动电压（Vgs），STD100NH03LT4 在不同工作状态下能够提供超低的导通电阻，最大化效率。

4. 栅极驱动与特性

STD100NH03LT4 的栅极阈值电压（Vgs(th)）在最大 2.5V @ 250µA 的条件下，表明该 MOSFET 在较低的栅极驱动电压下即可开启。此外，针对不同的 Vgs，栅极电荷（Qg）最大为77nC @ 10V，这使得该 MOSFET 在开关速度上表现卓越，适合高频开关应用。

5. 温度及功耗特性

在宽广的工作温度范围内（-55°C ~ 175°C），STD100NH03LT4 的性能表现依然稳定。这种特性使其能够在极端环境下工作，适用于航空航天、汽车电子等严苛要求的应用场合。

功率耗散的设计能力达到100W（Tc），赋予用户在高负载情况下的额外安全余量，降低保持转速需求及热管理过程中对散热系统的要求。

6. 应用领域

STD100NH03LT4 被广泛应用于：

• 电源管理：适合于开关电源、DC-DC 转换器等电源调节模块中。
• 马达控制：用于低压和中等功率马达驱动系统，提供高效的电源切换。
• 工业控制：在工业自动化设备及机械控制系统中，提供高效率和高可靠性的解决方案。
• 消费电子：适合于个人电子设备、家电以及其它需要高效能的消费类产品中。

7. 结论

总而言之，STD100NH03LT4 是一款高效、稳定且适应性强的 N 型 MOSFET，具备良好的电气特性和出色的温度稳定性。由于其优越的性能，成为电源管理和各种功率控制应用的理想选择，能够满足现代电子设备对于高效能和高可靠性的苛刻要求。随着电子技术的不断发展，该器件的方法将会更广泛地满足客户的设计需求，是设计师和工程师值得信赖的选择。