STD100N10F7

STD100N10F7 产品概述

概述

STD100N10F7 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。其设计旨在满足高电压和高电流的应用需求，具有卓越的导通特性和热性能，非常适合用于电源管理、功率转换和其他高效能的开关电路。

主要参数

• 漏源电压（Vdss）: 100V
• 连续漏极电流（Id）: 80A（在 25°C 时，温度集成）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 250µA
• 最大功率耗散（Pd）的额定值: 120W（在环境温度 Ta=25°C 时）
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 8mΩ @ 40A，10V
• 输入电容（Ciss）: 4369pF @ 50V

应用场景

STD100N10F7 适用于各类高功率电子设备，这包括但不限于：

1. 开关电源（SMPS）: 用于高效的电压转化和能量管理，优化电源系统的效率和稳定性。
2. 电机驱动: 在电机控制和驱动应用中，利用其高电流承载能力，提升电机驱动效率。
3. 电池管理: 在电池充放电过程中，进行高效的电流切换，保护电池和延长其使用寿命。
4. DC-DC 转换器: 在转换过程中提供高效率，尤其是在降压和升压转换器中扮演关键角色。

性能优势

• 低导通电阻: 8mΩ 的导通电阻使其在大电流下的损失降至最低，从而降低热量产生，提高整体系统效率。
• 宽工作温度范围: 工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其适用于极端环境，能够承受高温和低温条件下的运作。
• 高功率处理能力: 最大功率耗散额定值为 120W，确保其在高负载下依然可靠工作。
• 直接驱动能力: 该元器件可用 10V 的驱动电压直接控制，方便与各种控制电路集成。

封装和安装

STD100N10F7 采用 DPAK (TO-252-3) 封装，具有良好的热散能力和较小的尺寸，适合表面贴装，便于安装和生产。其双引线加接片设计提供出色的电气性能和热管理能力，适合密集的电路板设计。

结论

STD100N10F7 是一款高度可靠的 N 沟道 MOSFET，设计用于高效的电力管理和功率控制应用。得益于其优异的电气特性和广泛的工作温度范围，这款 MOSFET 适合多种应用，成为电力电子工程师和设计师在构建高效能系统中的理想选择。通过利用该元器件，将能够有效提升设备的效率，优化能耗，并在各种复杂的电流条件下保持稳定的性能表现。无论在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，STD100N10F7 均能提供良好的解决方案。