SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3 产品概述

一、产品基本信息

SIS890DN-T1-GE3 是威世(VISHAY)公司推出的一款 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)，它采用 PowerPAK® 1212-8 的封装形式，设计用于中高压功率开关、逆变器和电源管理等领域。该器件具有出色的电气性能与热特性，适用于高可靠性应用。

二、电气特性

该 MOSFET 的主要电气参数包括：

• 漏源电压（Vdss）：100V，表示该器件所能承受的最大漏极到源极的电压。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，SIS890DN-T1-GE3 的连续漏极电流可达 30A，适合用于较高电流应用。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该产品在 250µA 的条件下，其阈值电压为 3V，这意味着驱动电路只需超过此电压即可使 MOSFET 导通。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：在 10A 和 10V 驱动条件下，导通电阻为 23.5mΩ，具有非常低的导通损耗，有助于提高系统的整体效率。
• 最大功率耗散：在环境温度为 25°C 时，最大功率可达到 3.7W，而在更高的结温条件下，最大功率耗散可达到 52W，充分展示了其热管理能力。

三、其他参数

• 驱动电压：该 MOSFET 的驱动电压分为两个档位，分别为 4.5V 和 10V，这对于不同的电路设计较为友好，提供了更大的灵活性。
• 栅极电荷 (Qg)：在 10V 驱动下，栅极电荷最大值为 29nC，这有助于减少开关损耗，适合快速开关应用。
• 输入电容 (Ciss)：在 50V 工作条件下，输入电容最大值为 802pF，这对高频开关应用提供了良好的适配性。

四、工作温度及封装

该器件能够在-55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作，适应于各种严苛的环境条件。同时，它采用 PowerPAK® 1212-8 的表面贴装型封装，拥有良好的热性能和空间利用率，使其在现代电子设备中易于集成。

五、应用场景

SIS890DN-T1-GE3 的设计可以广泛应用于以下领域：

• 电源管理：适用于高效率开关电源(PSU)和DC-DC 转换器。
• 汽车电子：在电动汽车、混合动力汽车的功率转换电路中，我们可以找到它的身影。
• 变频器：该 MOSFET 适合用于电动机驱动、逆变器等变频控制应用。
• 工业设备：高效能的电源模块和其他工业自动化设备也能利用该芯片的特性。

六、总结

SIS890DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性、广泛的工作温度范围及可靠的热管理能力，使其成为现代电功率管理和转换应用中的优选器件。无论是在电源设计、汽车电子还是工业自动化领域，这款器件均表现出色，带来了更高的效率与性能，非常适合各类高效能电子设备的应用需求。