SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3 产品概述

一、基本信息

SI7716ADN-T1-GE3 是威世（VISHAY）公司推出的一款高性能 N 沟道场效应管（MOSFET），采用高效的 PowerPAK® 1212-8 封装设计，专为各种高电流和高效率的电源管理应用而设计。该元件的工作电压为 30V，连续漏极电流高达 16A，适合用于电源开关、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他需要高效能的应用场景。

二、主要参数

1. 封装/外壳:

   • PowerPAK® 1212-8，具有优良的散热性能和紧凑的安装特性，适合高密度电路板布局。

2. FET 类型:

   • N 沟道，具有更优秀的导电性能，相对 P 沟道 MOSFET 可提供更低的 Rds(on)，从而在高电流下实现更高的运行效率。

3. 漏源极电压 (Vdss):

   • 30V，适用于低电压直流电源和驱动电路。

4. 栅源电压 (Vgss):

   • ±20V，支持多种栅驱动电压，方便与不同控制电路兼容。

5. 电流:

   • 25°C 时的连续漏极电流 (Id) 可达 16A（Tc），确保在高工作温度下的稳定性能。

6. 导通电阻 (Rds(on)):

   • 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 10A 时最大值为 13.5毫欧，极低的导通电阻提升了效率并减少了功耗。

7. 阈值电压 (Vgs(th)):

   • 最大值为 2.5V（@ 250µA），适合低电压信号开关场景。

8. 栅极电荷 (Qg):

   • 最大值为 23nC（@ 10V），影响开关速度和驱动电路的功耗。

9. 输入电容 (Ciss):

   • 最大值为 846pF（@ 15V），低输入电容设计提高了开关频率响应能力。

10. 功率耗散:

    • 最大功率耗散为 3.5W（环境温度 Ta）和 27.7W（结温 Tc），提供灵活的设计选择以满足系统的散热需求。

11. 工作温度:

    • -55°C ~ 150°C（TJ），应用范围广泛，从恶劣环境中的工业应用到高温高压的汽车电子产品。

三、应用领域

SI7716ADN-T1-GE3 的广泛应用包括但不限于以下领域：

• 电源管理: 作为高效率开关控制器应用于开关电源（SMPS）和低功耗 DC-DC 变换器。
• 马达驱动: 在直流电机和步进电机中作为开关元件，提升驱动效率，降低能耗。
• 电池管理系统: 在电动汽车及储能系统中起到关键的开关作用，以管理充放电过程中的电流流动。

四、总结

SI7716ADN-T1-GE3 作为一款高性能 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电气性能、紧凑的封装设计和适应广泛工作环境的能力，成为许多电子应用中不可或缺的元件。设计工程师可以利用其低导通电阻、高电流承受能力与良好的热特性，优化电源效率，提高系统可靠性。同时，威世（VISHAY）的品牌保证了产品质量和稳定性，使其成为业界认可的选择。