描述：场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 200V 3.8A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.05Ω@10V,1A
功率(Pd)3.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.6nC
输入电容(Ciss@Vds)666pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@50V
工作温度-50℃~+150℃
SI7119DN-T1-E3 产品概述
一、产品基本信息
SI7119DN-T1-E3 是一款由 VISHAY（威世）制造的高性能 P 沟道 MOSFET（场效应管），专为需要高效能和高耐压的电子应用设计，尤其适用于功率管理与控制电路。其封装采用 PowerPAK® 1212-8，具有优异的散热性能和小巧的尺寸，非常适合现代电子设备的紧凑设计。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 200V
- 这意味着该 MOSFET 可在高电压下稳定工作，满足多种应用需求，如电源管理和高压开关电路。
连续漏极电流（Id）: 3.8A (25°C 时)
- 在正常工况下，这款 MOSFET 可以承载高达 3.8A 的连续漏极电流，非常适合高功率应用。
导通电阻（Rds(on)）: 1.05Ω @ 1A, 10V
- 低导通电阻意味着在驱动负载时可以减少功率损耗，从而提高系统的整体效率。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 该阈值电压如果低于 4V，MOSFET 将进入导通状态，适合与低电压控制信号匹配。
驱动电压（Vgs）: 6V 至 10V（最大值）
- 在这一电压范围内，可以实现最佳性能输出，并确保器件的稳定运行。
最大功率耗散: 3.7W（Ta），52W（Tc）
- 具有较高的功率耗散能力，能够在较高的温度下工作，更加耐用。
工作温度范围: -50°C ~ 150°C
- 广泛的工作温度范围使其能够适应各种恶劣环境，适用于高温及低温操作。
封装: PowerPAK® 1212-8
- 这种表面贴装型封装不仅节省空间，而且提供优良的热管理性能，是现代电子设计的理想选择。
三、应用场景
SI7119DN-T1-E3 MOSFET 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源开关: 由于其高压及高电流处理能力，可以用作电源转换器、逆变器及其他高压开关电源部分。
- 电机驱动控制: 在电动机驱动电路中作为开关元件，具备优异的效率和响应速度。
- DC-DC 转换器: 在调整输出电压时，利用其低导通电阻减少能量损耗。
- 电池管理系统: 可用于控制充电与放电过程，以提高电池使用效率。
四、总结
SI7119DN-T1-E3 MOSFET 是一款性能卓越、功能多样的电子元器件。凭借其高耐压、低导通电阻、优异的功率处理能力，广泛应用于现代电子设备的各种高效电源管理和开关控制中。其小巧而高效的 PowerPAK® 1212-8 封装，确保了优秀的散热性能，进一步提升了系统的稳定性与可靠性。对于寻求高性能解决方案的设计工程师而言，SI7119DN-T1-E3 是一个极为理想的选择。