描述：表面贴装型-N-通道-30V-18.2A（Tc）-3W（Ta）-5.2W（Tc）-8-SO
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产品参数
属性参数值
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9.5 毫欧 @ 13.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）26nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1220pF @ 15V
功率耗散（最大值）3W（Ta），5.2W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装8-SO
产品概述：SI4686DY-T1-GE3
SI4686DY-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，由威世（VISHAY）公司生产，专门设计用于各种需要高功率和高效率的电子应用中。它采用8-SOIC封装，尺寸为0.154"（3.90mm宽），适合表面贴装（SMT）生产工艺。这款MOSFET的特点是能够在广泛的工作条件下，提供优异的导通性能和功率管理能力，十分适合用于电源管理、开关电源、马达控制等应用场景。
基本规格
- 封装类型: 8-SOIC
- FET类型: N沟道
- 漏源极电压（Vdss）: 30V
- 电流（Id）: 25°C条件下的连续漏极电流为18.2A（Tc）
- 驱动电压（Vgs）: 最大导通电阻的驱动电压为4.5V和10V
- 最大导通电阻（Rds(on）: 在10V和13.8A条件下，最大值为9.5毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为3V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）: 在10V时，最大值为26nC
- Vgs最大值: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大值为1220pF @ 15V
- 功率耗散: 最大功率耗散为3W（Ta），5.2W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
性能优势
SI4686DY-T1-GE3的设计理念在于提高功率密度和系统效率。其低导通电阻和高电流承载能力使其在多个应用中表现出色。在电源转换和高能效应用中，该MOSFET提供了理想的选择，有助于减小整体系统热量和提高能效。此外，宽广的工作温度范围使其能够在相对恶劣的环境条件下稳定工作，这对于工业和汽车等领域尤为重要。
应用领域
SI4686DY-T1-GE3可广泛用于以下应用：
- 开关电源: 在DC-DC转换器和AC-DC适配器中，作为主要的开关元件，提供高效能的电源转换。
- 马达控制: 在电动机驱动电路中，可作为开关元件，用于控制马达的启停和调速。
- 电池管理系统: 在电池管理系统（BMS）中，用于实现电池的充放电控制，保证系统的安全性和高效能。
- LED驱动: 适用于LED照明系统的驱动电路，确保稳定的电流输出，以提供亮度一致的光源。
- 射频电路: 在高频应用中，SI4686DY-T1-GE3凭借其良好的开关性能，适合用于射频放大器及脉冲应用。
结论
综上所述，SI4686DY-T1-GE3 N沟道MOSFET凭借其优异的电气性能、可靠性和适应性，成为高效能电子设计的理想选择。凭借低导通电阻、高电流处理能力和广泛的应用领域，该产品满足了现代电子设备对功率效率、安全性和热管理的需求，是各种电子产品设计中的关键组成部分。选择SI4686DY-T1-GE3，能够帮助工程师和设计师实现更高效能、更优设计的电子产品。