描述：表面贴装型-N-通道-20V-6.5A（Ta）-1.5W（Ta）-8-SO
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产品参数
属性参数值
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）25 毫欧 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）50nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
功率耗散（最大值）1.5W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装8-SO
SI4426DY-T1-E3 产品概述
产品型号: SI4426DY-T1-E3
品牌: VISHAY (威世)
封装类型: 8-SOIC (0.154", 3.90mm宽)
元器件类型: N通道MOSFET
一、基本参数
SI4426DY-T1-E3作为一款高效的N通道MOSFET，专为表面贴装(SMT)应用设计，具有优异的电气性能，适用于各种电子电路和系统。其主要特点包括：
- 漏源极电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 6.5A (在25°C环境下)
- 功率耗散（最大值）: 1.5W (在25°C环境下)
- 工作温度范围: -55°C到150°C
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值: 1.4V @ 250µA
二、电气特性
SI4426DY-T1-E3的电气特性设计旨在提供在电源开关、信号处理和负载驱动中的高效率和可靠性。以下是其关键电气特性：
导通电阻（Rds(on)）:
- 在4.5V的栅源电压下，导通电阻最大为25毫欧，表现出极佳的导电性能。
- 这一低导通电阻有助于降低功耗，提高整体效率，使其特别适合高电流应用。
栅极电荷（Qg）:
- 最大栅极电荷为50nC @ 4.5V，此参数对于高速开关应用尤为重要，通常在开关频率较高的情况下可以有效提高效率。
最大栅源电压（Vgs）:
- SI4426支持的最大栅源电压为±12V，确保在不同应用下可靠工作。
三、应用领域
SI4426DY-T1-E3被广泛应用于多个领域，尤其是在需要高性能和高可靠性的场合。常见应用包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，可以提高转换效率，减少热损耗。
- 电机驱动: 用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流输出和控制。
- 低压负载开关: 可用于电池管理系统，优化能量使用，延长电池寿命。
- LED驱动电路: 在照明应用中作为开关元件，提供可靠的驱动功能。
四、设计优势
使用SI4426DY-T1-E3的设计方案，工程师能够享受以下优势：
- 高效性: 由于其低导通电阻，SI4426可以在较高的负载条件下降低温升，从而实现更高的功率效率。
- 可靠性: 该元件具有宽广的工作温度范围和优良的电耐受性，使其在严酷环境下仍能稳定工作，满足工业级应用需求。
- 简化设计: 得益于其规格和性能，设计师可以在不增加过多元件的条件下满足更复杂的电气需求，从而优化电路布局。
五、结论
SI4426DY-T1-E3是一款高性能的N通道MOSFET，出色的电气特性和宽广的应用范围，使其成为现代电子设计中的关键元件。无论是在电源管理、驱动电机还是LED接口中，持续提供优异性能的同时，实现小型化和高效率需求。对于设计工程师来说，选择SI4426DY-T1-E3，无疑是提升系统整体性能的明智选择。通过其强大的功能和灵活性，用户可以在多样化的应用中，实现卓越的性能表现。