IRFB3307ZPBF

IRFB3307ZPBF 产品概述

1. 产品简介

IRFB3307ZPBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件厂商英飞凌（Infineon）生产。该产品采用 TO-220AB 封装，提供卓越的电流承载能力和热管理性能，适合多种高效能电源设计和功率转换应用。

2. 主要特性

• 额定电压与电流：IRFB3307ZPBF 的漏源电压（Vdss）高达 75V，能够承受相对较高的电压。其最大连续漏极电流（Id）可达 120A，适用于高负载的电源管理和驱动电路。
• 导通电阻及功率损耗：在 75A、10V 条件下，最大导通电阻 Rds(on) 为 5.8 毫欧，显著降低了在高电流条件下的功率损耗。这一特性使得 IRFB3307ZPBF 在高效率电源设计中得到了广泛应用，可有效提高系统的整体性能。
• 驱动电压：该器件的栅源电压 Vgs 最大可承受 ±20V，适用于多种控制逻辑电压等级，保证了灵活性和兼容性。同时，在最小 Rds(on) 时需要的驱动电压为 10V，确保其高效开关性能。

3. 电气特性

• 阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为 4V @ 150µA，这意味着在较低栅极驱动电压下，MOSFET 就能够进入导通，可以有效减少开关损耗。
• 栅极电荷（Qg）：该 MOSFET 在 10V 驱动下的最大栅极电荷为 110nC，便于实现快速的开关响应，适合高频应用，从而提高整体系统频率和效率。
• 输入电容（Ciss）：输入电容最大值为 4750pF @ 50V，提供了良好的信号传输能力，确保开关性能的可靠性。

4. 温度特性与功耗

IRFB3307ZPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其适用于严苛环境条件下的应用。其最大功率耗散能力为 230W (Tc)，意味着可以在高温和高功率应用中提供优越的散热性能。

5. 应用场景

IRFB3307ZPBF 特别适用于电源开关、DC-DC 转换器、马达驱动器、逆变器及高频变换器等领域。凭借其高效率、低导通电阻和良好的热性能，这款 MOSFET 适合用于工业电力控制、可再生能源、消费电子以及汽车电子等多种应用，能够满足高效能电源的需求。

6. 安装与封装

该元件采用通孔安装，封装类型为 TO-220AB，这一设计提供了卓越的散热能力，便于在PCB（印刷电路板）上进行安装和布局。TO-220 封装的结构特点使得 IRFB3307ZPBF 可以在需要额外散热的应用中表现突出。

总结

IRFB3307ZPBF 结合了高电压、高电流承载能力以及卓越的热管理特性，是一款理想的 N 沟道 MOSFET，适合电源管理和高功率驱动等多种应用场景。凭借其优越的性能和可靠性，IRFB3307ZPBF 在现代高效能电子设计领域中占据了重要的地位，是工程师们在选择元件时的理想选择。