描述：The 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R on xA and the inherently low gate charge (Q G ) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
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产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）360 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）13nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）555pF @ 400V
功率耗散（最大值）22W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO220 整包
封装/外壳TO-220-3 整包
产品概述：IPA60R360P7SXKSA1
1. 概述
IPA60R360P7SXKSA1 是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），隶属于其 CoolMOS™ P7 系列。这款 MOSFET 以600V 的漏源电压（Vdss）和高达 9A 的连续漏极电流（Id）为特点，特别适用于高效能的电源管理与开关电源应用。
2. 主要特性
- 高漏源电压：具有600V的工作电压，能够满足各种高压应用的需求。
- 连续漏极电流：在 25°C 的工作温度下，最高可达 9A，使其具备灵活的负载能力。
- 低导通电阻 Rds(on)：最大值为 360 毫欧，适合要求低功耗和高能效的设计。
- 高工作温度范围：-40°C 到 150°C 的工作温度范围，使其能够应对各种极端环境条件。
- 低栅极电荷 Qg：最大为 13nC，在 10V 驱动电压下，这使得该器件在开关过程中展现出极高的效率与响应速度。
3. 应用领域
IPA60R360P7SXKSA1 主要用于高效能电源转换系统，如：
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- DC-DC 转换器
- 电动汽车和电池管理系统
- 太阳能逆变器
4. 设计优势
在 CoolMOS™ P7 系列中，IPA60R360P7SXKSA1 带来了以下设计优势：
- 高效能：其优异的导通电阻和低栅极电荷显著降低了开关损耗和导通损耗，为终端产品提供了更高的能效。
- 易用性：该器件经过优化设计，可以简化电路布局，降低设计复杂性，并加快设计周期。
- 逊色性能：与早期型号相比，P7 系列在导通电阻与开关性能方面显著提升，使其更加适合快速开关应用。
5. 性能参数
- 驱动电压和最大栅极阈值电压（Vgs(th)）：在10V 驱动电压时，Vgs(th) （最大值）为 4V @ 140µA，确保MOSFET能够稳定工作。
- 输入电容（Ciss）：最大值为 555pF @ 400V，有助于控制开关损耗，提供良好的频率响应。
- 功率耗散：最大功率耗散能力为 22W（Tc），确保在高负载条件下的安全稳定运行。
6. 封装和安装
IPA60R360P7SXKSA1 采用 TO-220-3FP 封装类型，具备通孔安装特性，适用于多种安装和散热方案，便于集成在各种电路板设计中。
7. 结论
作为现代电源管理技术的重要组成部分，IPA60R360P7SXKSA1 结合了高电压、低导通电阻和优良的热性能，适合用于高效的电源转换解决方案。无论是在工业应用、可再生能源管理还是消费电子产品中，IPA60R360P7SXKSA1 都能提供卓越的性能和可靠的运行，为用户创造更高的价值。