型号:

FMMT455TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:22+
包装:编带
重量:0.028g
其他:
FMMT455TA 产品实物图片
FMMT455TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 140V 1A NPN SOT-23
库存数量
库存:
1643
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.3
100+
0.996
750+
0.831
1500+
0.755
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)140V
功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@150mA,10V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)700mV@15mA,150mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:FMMT455TA NPN 晶体管

FMMT455TA 是由 DIODES(美台)推出的一款高性能 NPN 晶体管。它具备强大的电气特性和优越的工作稳定性,适合广泛的电子应用,包括信号放大、电源管理和开关电路等。本产品的设计旨在满足现代电子设备对于高可靠性和高效率的需求,尤其是在小型化和低功耗的应用场景中表现优异。

基本参数

  1. 额定功率:FMMT455TA 的额定功率为 500mW,意味着它能够在保证内部温度控制的情况下处理较高的功率,因而在多种应用中表现出色。

  2. 集电极电流 (Ic):其最大集电极电流为 1A,使得该晶体管适合执行高电流驱动的任务,同时也能在较低负载条件下提供可靠的性能。

  3. 集射极击穿电压 (Vce):FMMT455TA 的最大集射极击穿电压为 140V,这一特性使得该器件能够在较高电压环境下稳定运行,适用于高电压开关及放大电路。

  4. 饱和压降:在 Ic 为 15mA 和 150mA 时,Vce 的最大饱和压降为 700mV,这表明在高电流操作时,可以获得较低的功率损耗,提高能效。

  5. 截止电流:在集电极截止状态下,最大电流为 100nA (ICBO),表现出良好的密封性和低功耗特性。

  6. 直流电流增益 (hFE):在级别 150mA 和 10V 时,其 DC 电流增益的最小值为 100,显示了良好的信号放大能力,适合于信号处理电路。

频率响应与温度特性

FMMT455TA 具有高达 100MHz 的频率跃迁特性,适合高速信号处理。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,为各种严苛环境下的应用提供了保障,从汽车电子、工业控制到航空航天等领域均可应用自如。

封装与安装

该晶体管采用 SOT-23 封装,体积小、重量轻,非常适合于表面贴装型应用。SOT-23 封装的尺寸确保了更高的集成度,适合小型化的电子设备设计,使得该器件在现代电子产品中被广泛采用。

适用领域与应用

FMMT455TA 广泛应用于电子开关、功率放大器、低噪声放大电路、电源管理及边缘计算设备中。同时,由于其高压和小型化的特性,非常适合应用于消费电子、汽车电子以及工业控制设备中。特别是在LED驱动、高频通信和开关电源等领域,该晶体管展示了独特的优势。

总结

总之,FMMT455TA 是一款高性能、低功耗并具备广泛工作电压范围和电流调整能力的 NPN 晶体管。它的设计追求高效、稳定和可靠,能够满足现代电子产品对元器件的多样化需求。利用其优越的电气特性及小型封装,工程师可以在设计时获得更多的灵活性,将其应用于更为复杂与高效的电路设计中。无论是在高压、大电流还是在紧凑空间设计,FMMT455TA 都能成为您的理想选择。