型号:

DMT6009LSS-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:23+
包装:编带
重量:0.113g
其他:
DMT6009LSS-13 产品实物图片
DMT6009LSS-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 60V 10.8A 1个N沟道 SO-8
库存数量
库存:
2351
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.11
100+
2.59
1250+
2.35
2500+
2.25
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@10V,13.5A
功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)33.5nC
输入电容(Ciss@Vds)1.925nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)41pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

DMT6009LSS-13 产品概述

产品简介

DMT6009LSS-13 是一款高性能 N 沟道场效应管 (MOSFET),适用于各种高频开关应用。这款 MOSFET 由 DIODES(美台)品牌生产,采用表面贴装型 (SMD) 封装,型号为 SO-8,以满足空间紧凑和高效散热的需求。其主要特点包括最大漏源电压 (Vdss) 为 60V,最大连续漏极电流 (Id) 为 10.8A,以及出色的导通电阻和栅极特性,使其成为现代电子电路中不可或缺的组件。

关键参数

  1. 导通电阻: 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 13.5A 条件下,DMT6009LSS-13 的导通电阻 (Rds(on)) 最大值为 9.5 毫欧,这使得其在导通状态下的功耗极低,有助于提升系统的整体能效。

  2. 驱动电压: 该 MOSFET 可在 4.5V 到 10V 的栅极驱动电压下稳定工作,确保在各种应用场景中灵活切换与控制。

  3. 输入电容: 在 Vds 为 30V 时,输入电容 (Ciss) 的最大值为 1925pF,这使得其在高速开关应用时有着良好的响应特性。

  4. 栅极电荷: 在 Vgs 为 10V 下的栅极电荷 (Qg) 最大值为 33.5nC,较小的栅极电荷意味着驱动电路的负担减少,提升开关效率。

  5. 漏极电流: 该器件在 25°C 的环境条件下能够承受10.8A 的连续漏极电流,展现出卓越的承载能力,适合于高负载应用。

应用场景

DMT6009LSS-13 的设计使其在多种应用中表现优异,主要包括但不限于:

  • 电源管理: 在 DC-DC 转换器、开关电源中的开关元件,充当电子开关。
  • 马达驱动器: 用于控制电机的启停和速度调节,特别是在需要高效率和快速响应的场合。
  • 电池管理系统: 在锂电池充电和放电过程中,提供安全稳固的开关控制。
  • 照明系统: 用于 LED 灯驱动的高效开关,确保低功耗和长寿命。

环境适应性

DMT6009LSS-13 具备宽广的工作温度范围 (-55°C 至 150°C),使其在严苛环境下仍能稳定工作,适用于汽车电子、工业设备、航天航空等领域的高可靠性应用。

封装与安装

该 MOSFET 采用 SO-8 封装,具有良好的热管理能力与占位优势,适合于表面贴装 (SMT) 工艺,大大简化了在现代电子设备中的集成与布局。

总结

总体而言,DMT6009LSS-13 以其卓越的电气性能、广泛的应用适用性及高品质的封装设计,成为市场上备受青睐的 N 沟道 MOSFET 之一。无论是在电源管理、马达控制还是电池系统中,都能提供高效、可靠的解决方案,是电子工程师的理想选择。