DMT6009LSS-13 是一款高性能 N 沟道场效应管 (MOSFET),适用于各种高频开关应用。这款 MOSFET 由 DIODES(美台)品牌生产,采用表面贴装型 (SMD) 封装,型号为 SO-8,以满足空间紧凑和高效散热的需求。其主要特点包括最大漏源电压 (Vdss) 为 60V,最大连续漏极电流 (Id) 为 10.8A,以及出色的导通电阻和栅极特性,使其成为现代电子电路中不可或缺的组件。
导通电阻: 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 13.5A 条件下,DMT6009LSS-13 的导通电阻 (Rds(on)) 最大值为 9.5 毫欧,这使得其在导通状态下的功耗极低,有助于提升系统的整体能效。
驱动电压: 该 MOSFET 可在 4.5V 到 10V 的栅极驱动电压下稳定工作,确保在各种应用场景中灵活切换与控制。
输入电容: 在 Vds 为 30V 时,输入电容 (Ciss) 的最大值为 1925pF,这使得其在高速开关应用时有着良好的响应特性。
栅极电荷: 在 Vgs 为 10V 下的栅极电荷 (Qg) 最大值为 33.5nC,较小的栅极电荷意味着驱动电路的负担减少,提升开关效率。
漏极电流: 该器件在 25°C 的环境条件下能够承受10.8A 的连续漏极电流,展现出卓越的承载能力,适合于高负载应用。
DMT6009LSS-13 的设计使其在多种应用中表现优异,主要包括但不限于:
DMT6009LSS-13 具备宽广的工作温度范围 (-55°C 至 150°C),使其在严苛环境下仍能稳定工作,适用于汽车电子、工业设备、航天航空等领域的高可靠性应用。
该 MOSFET 采用 SO-8 封装,具有良好的热管理能力与占位优势,适合于表面贴装 (SMT) 工艺,大大简化了在现代电子设备中的集成与布局。
总体而言,DMT6009LSS-13 以其卓越的电气性能、广泛的应用适用性及高品质的封装设计,成为市场上备受青睐的 N 沟道 MOSFET 之一。无论是在电源管理、马达控制还是电池系统中,都能提供高效、可靠的解决方案,是电子工程师的理想选择。