型号:

DMP4025LSD-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:2年内
包装:编带
重量:0.388g
其他:
DMP4025LSD-13 产品实物图片
DMP4025LSD-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.8W 40V 6.9A 2个P沟道 SOIC-8
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产品参数
属性参数值
类型2个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)6.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V
功率(Pd)1.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@3A
栅极电荷(Qg@Vgs)14nC
输入电容(Ciss@Vds)1.64nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)128pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

DMP4025LSD-13 产品概述

一、产品简介

DMP4025LSD-13 是由DIODES(美台)推出的一款高性能双P沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足各种高效能电源管理和开关控制应用的需求。这款MOSFET特别适合用于低电压直流电源转换和高频开关电路,并高度兼容逻辑电平信号的控制。

二、关键参数

DMP4025LSD-13 的主要电气特性包括:

  • 漏源电压(Vdss): 最高可承受 40V 的漏源电压,适合多种工业和消费电子应用。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,最大连续漏极电流为 6.9A,使其能处理中等功率需求的负载。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该器件在 250µA 时的阈值电压为 1.8V,表明其可以由较低的控制信号驱动,适合移植至数字电路中。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 在 3A 和 10V 时,最大导通电阻为 25mΩ,实现较低的导通损耗,提升系统的能效。
  • 功率耗散: 最大功率消耗为 1.8W,保证了器件在合理散热的情况下能够安全稳定运行。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C 的广泛工作温度,适合严苛的环境条件。
  • 安装类型与封装: 装配在 SO-8 (8-SOIC) 封装中,便于表面贴装,适合自动化生产。

三、性能特点

  1. 高效能: DMP4025LSD-13 在多种工作条件下都能保持出色的性能,特别是在低栅压操作时,确保电路设计的灵活性。
  2. 低导通电阻: 其市场竞争力的低导通电阻特性减少了功耗和热量产生,提升了整体效率,特别适合电源开关应用。
  3. 优异的热管理能力: 大的工作温度范围确保了在不同环境下的可靠性,适应性强,为应用提供了长期稳定的性能保障。

四、应用领域

DMP4025LSD-13 的应用范围广泛,主要包括但不限于:

  • 电源管理: 适合用于开关电源(SMPS)、Buck、Boost 转换器等设计,满足不同电源需求。
  • 汽车电子: 由于其优越的温度适应性和低功耗特性,适合用于车载电源模块和电机驱动控制。
  • 工业控制: 常用于各种工业自动化设备中,为电动机和其他负载提供高效的开关控制。
  • 消费电子: 电子产品中的电源管理组件,提升电池使用效率及延长产品的使用寿命。

五、结论

DMP4025LSD-13 作为一款双P沟道MOSFET,凭借其高效的电气性能、优异的热管理能力和合理的封装设计,为广大电子设计师和工程师提供了一个可信赖的解决方案。无论是在电源管理、汽车、工业控制,还是消费电子市场,这款器件都表现出令人期待的能力,适合寻求高效率和高集成度的现代电子设备开发的需求。其出色的性价比也使其成为市场上备受欢迎的选择。